參數(shù)資料
型號(hào): CYD09S72V-133BBC
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi): DRAM
英文描述: FLEx72 3.3V 64K/128K/256K x 72 Synchronous Dual-Port RAM
中文描述: 128K X 72 DUAL-PORT SRAM, 4.4 ns, PBGA484
封裝: 23 X 23 MM, 1 MM, ROHS COMPLIANT, MO-192, FBGA-484
文件頁(yè)數(shù): 17/26頁(yè)
文件大?。?/td> 470K
代理商: CYD09S72V-133BBC
PRELIMINARY
CYD04S72V
CYD09S72V
CYD18S72V
Document #: 38-06069 Rev. *D
Page 17 of 26
Read-to-Write-to-Read (OE Controlled)
[31, 34, 36, 37]
Read with Address Counter Advance
[36]
Switching Waveforms
(continued)
t
CYC2
t
CL2
t
CH2
t
HC
t
SC
t
HW
t
SW
t
HA
t
SA
A
n
A
n+1
A
n+2
A
n+3
A
n+4
A
n+5
t
HW
t
SW
t
SD
t
HD
D
n+2
t
CD2
t
OHZ
READ
READ
WRITE
D
n+3
Q
n
CLK
CE
R/W
ADDRESS
DATA
IN
DATA
OUT
OE
Q
n+4
t
CD2
t
SA
t
HA
t
CH2
t
CL2
t
CYC2
CLK
ADDRESS
A
n
COUNTER HOLD
READ WITH COUNTER
t
SAD
t
HAD
t
SCN
t
HCN
t
SAD
t
HAD
t
SCN
t
HCN
Q
x–1
Q
x
Q
n
Q
n+1
Q
n+2
Q
n+3
t
DC
t
CD2
READ WITH COUNTER
READ
EXTERNAL
ADDRESS
ADS
CNTEN
DATA
OUT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CYD09S72V-133BBI FLEx72 3.3V 64K/128K/256K x 72 Synchronous Dual-Port RAM
CYD09S72V-167BBC FLEx72 3.3V 64K/128K/256K x 72 Synchronous Dual-Port RAM
CYD18S72V-100BBC FLEx72 3.3V 64K/128K/256K x 72 Synchronous Dual-Port RAM
CYD18S72V-100BBI FLEx72 3.3V 64K/128K/256K x 72 Synchronous Dual-Port RAM
CYD18S72V-133BBC FLEx72 3.3V 64K/128K/256K x 72 Synchronous Dual-Port RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CYD09S72V-133BBI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128K x 72 3.3V IND Sync Dual Port RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CYD09S72V-167BBC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128K x 72 3.3V COM Sync Dual Port RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CYD09S72V18-167BBXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 9216K (128Kx72) 1.8v 167MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CYD09S72V18-167BBXI 功能描述:IC SRAM 9MBIT 167MHZ 256LFBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):557-1327-2
CYD09S72V18-167BGXC 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: