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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C266-35LMB |
| 英文描述： | x8 EPROM |
| 中文描述： | x8存儲(chǔ)器 |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 208K |
| 代理商： | CY7C266-35LMB |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C266-35WMB | x8 EPROM |
| CY7C266-45DC | x8 EPROM |
| CY7C266-45DMB | EPROM|8KX8|CMOS|DIP|28PIN|CERAMIC |
| CY7C266-45LMB | x8 EPROM |
| CY7C266-45QMB | x8 EPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C2663KV18-450BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 CY7C2663KV18-450BZI RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C2663KV18-450BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 CY7C2663KV18-450BZXC RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C2663KV18-500BZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:144-MBIT QDR? II+ SRAM 4-WORD BURST 8M X 18 165-BALL FBGA - Bulk |
| CY7C2663KV18-550BZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM - Bulk |
| CY7C2663KV18-550BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 CY7C2663KV18-550BZI RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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