參數(shù)資料
型號： CY7C2561KV18-450BZC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： SRAM
英文描述： 8M X 8 QDR SRAM, 0.37 ns, PBGA165
封裝： 15 X 13 MM, 1.4 MM HEIGHT, FBGA-165
文件頁數(shù)： 20/29頁
文件大?。?/td> 839K
代理商： CY7C2561KV18-450BZC
PRELIMINARY
CY7C2561KV18, CY7C2576KV18
CY7C2563KV18, CY7C2565KV18
Document Number: 001-15887 Rev. *E
Page 27 of 29
450
CY7C2561KV18-450BZC
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
Commercial
CY7C2576KV18-450BZC
CY7C2563KV18-450BZC
CY7C2565KV18-450BZC
CY7C2561KV18-450BZXC
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C2576KV18-450BZXC
CY7C2563KV18-450BZXC
CY7C2565KV18-450BZXC
CY7C2561KV18-450BZI
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
Industrial
CY7C2576KV18-450BZI
CY7C2563KV18-450BZI
CY7C2565KV18-450BZI
CY7C2561KV18-450BZXI
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C2576KV18-450BZXI
CY7C2563KV18-450BZXI
CY7C2565KV18-450BZXI
400
CY7C2561KV18-400BZC
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
Commercial
CY7C2576KV18-400BZC
CY7C2563KV18-400BZC
CY7C2565KV18-400BZC
CY7C2561KV18-400BZXC
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C2576KV18-400BZXC
CY7C2563KV18-400BZXC
CY7C2565KV18-400BZXC
CY7C2561KV18-400BZI
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
Industrial
CY7C2576KV18-400BZI
CY7C2563KV18-400BZI
CY7C2565KV18-400BZI
CY7C2561KV18-400BZXI
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C2576KV18-400BZXI
CY7C2563KV18-400BZXI
CY7C2565KV18-400BZXI
Table 11. Ordering Information (continued)
Speed
(MHz)
Ordering Code
Package
Diagram
Package Type
Operating
Range
相關PDF資料
PDF描述
CY7C2566KV18-450BZI 8M X 8 DDR SRAM, 0.37 ns, PBGA165
CY7C293AL-35WC 2K X 8 UVPROM, 35 ns, CDIP24
CY7C474-15DI 32K X 9 OTHER FIFO, 15 ns, CDIP28
CY7C474-15PI 32K X 9 OTHER FIFO, 15 ns, PDIP28
CZ12010T0050GBK 0 MHz - 3000 MHz 50 ohm RF/MICROWAVE TERMINATION
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C2562XV18-366BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (4Mx18) 1.8v 366MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C2562XV18-450BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (4Mx18) 1.8v 450MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C25632KV18-400BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (4Mx18) 1.8v 400MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C25632KV18-400BZXI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (4Mx18) 1.8v 400MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C25632KV18-450BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (4Mx18) 1.8v 450MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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