參數(shù)資料
型號： CY7C1527V18-200BZC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述： 8M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù)： 25/28頁
文件大?。?/td> 457K
代理商： CY7C1527V18-200BZC
CY7C1516V18
CY7C1527V18
CY7C1518V18
CY7C1520V18
Document #: 38-05563 Rev. *D
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Diagram
167
CY7C1516V18-167BZC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1527V18-167BZC
CY7C1518V18-167BZC
CY7C1520V18-167BZC
CY7C1516V18-167BZXC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1527V18-167BZXC
CY7C1518V18-167BZXC
CY7C1520V18-167BZXC
CY7C1516V18-167BZI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1527V18-167BZI
CY7C1518V18-167BZI
CY7C1520V18-167BZI
CY7C1516V18-167BZXI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1527V18-167BZXI
CY7C1518V18-167BZXI
CY7C1520V18-167BZXI
200
CY7C1516V18-200BZC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1527V18-200BZC
CY7C1518V18-200BZC
CY7C1520V18-200BZC
CY7C1516V18-200BZXC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1527V18-200BZXC
CY7C1518V18-200BZXC
CY7C1520V18-200BZXC
CY7C1516V18-200BZI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1527V18-200BZI
CY7C1518V18-200BZI
CY7C1520V18-200BZI
CY7C1516V18-200BZXI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1527V18-200BZXI
CY7C1518V18-200BZXI
CY7C1520V18-200BZXI
250
CY7C1516V18-250BZC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1527V18-250BZC
CY7C1518V18-250BZC
CY7C1520V18-250BZC
CY7C1516V18-250BZXC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1527V18-250BZXC
CY7C1518V18-250BZXC
CY7C1520V18-250BZXC
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Industrial
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Industrial
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PDF描述
CY7C1527V18-200BZI 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1527V18-200BZXC 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1516V18-300BZI 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1516V18-300BZXC 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1516V18-300BZXI 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1543KV18-400BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (4Mx18) 1.8v 400MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1543KV18-400BZI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (4Mx18) 1.8v 400MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1543KV18-450BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4Mb x 18 450 MHz RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1543KV18-450BZI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (8Mx9) 1.8v 450MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1543V18-333BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72M Q2+ B4 (2.0) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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