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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1527AV18-167BZC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 8M X 9 DDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 26/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 1133K |
| 代理商： | CY7C1527AV18-167BZC |
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PRELIMINARY
CY7C1516AV18
CY7C1527AV18
CY7C1518AV18
CY7C1520AV18
Document #: 001-06982 Rev. *B
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CY7C1516AV18-250BZI
CY7C1518AV18-250BZI
CY7C1520AV18-250BZI
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CY7C1516AV18-200BZC
CY7C1518AV18-200BZC
CY7C1520AV18-200BZC
CY7C1527AV18-200BZC
CY7C1516AV18-200BZXC 51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free Commercial
CY7C1518AV18-200BZXC
CY7C1520AV18-200BZXC
CY7C1527AV18-200BZXC
CY7C1516AV18-200BZI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1518AV18-200BZI
CY7C1520AV18-200BZI
CY7C1527AV18-200BZI
CY7C1516AV18-200BZXI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1518AV18-200BZXI
CY7C1520AV18-200BZXI
CY7C1527AV18-200BZXI
CY7C1516AV18-167BZC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1518AV18-167BZC
CY7C1520AV18-167BZC
CY7C1527AV18-167BZC
CY7C1516AV18-167BZXC 51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free Commercial
CY7C1518AV18-167BZXC
CY7C1520AV18-167BZXC
CY7C1527AV18-167BZXC
CY7C1516AV18-167BZI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1518AV18-167BZI
CY7C1520AV18-167BZI
CY7C1527AV18-167BZI
CY7C1516AV18-167BZXI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1518AV18-167BZXI
CY7C1520AV18-167BZXI
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51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
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51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
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Commercial
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Industrial
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Ordering Information
(continued)
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1527AV18-167BZI | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1527AV18-167BZXC | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1527AV18-167BZXI | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1527AV18-200BZC | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1527AV18-200BZI | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1543KV18-400BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (4Mx18) 1.8v 400MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1543KV18-400BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (4Mx18) 1.8v 400MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1543KV18-450BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4Mb x 18 450 MHz RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1543KV18-450BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (8Mx9) 1.8v 450MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1543V18-333BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72M Q2+ B4 (2.0) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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