參數(shù)資料
型號： CY7C1525V18-300BZI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述： 8M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù)： 25/27頁
文件大?。?/td> 458K
代理商： CY7C1525V18-300BZI
CY7C1510V18
CY7C1525V18
CY7C1512V18
CY7C1514V18
Document #: 38-05489 Rev. *D
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250
CY7C1510V18-250BZI
CY7C1525V18-250BZI
CY7C1512V18-250BZI
CY7C1514V18-250BZI
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CY7C1514V18-300BZXI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
Industrial
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
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51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
Commercial
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
Industrial
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
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51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
Commercial
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51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
Industrial
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CY7C1543KV18-400BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 72MB (4Mx18) 1.8v 400MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1543KV18-450BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 4Mb x 18 450 MHz RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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