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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1525V18-200BZI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 8M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 15/27頁(yè) |
| 文件大小： | 458K |
| 代理商： | CY7C1525V18-200BZI |
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CY7C1510V18
CY7C1525V18
CY7C1512V18
CY7C1514V18
Document #: 38-05489 Rev. *D
Page 15 of 27
TAP Controller Block Diagram
TAP Electrical Characteristics
Over the Operating Range
[16,19,11]
0
0
1
2
.
.
29
30
31
Boundary Scan Register
Identification Register
0
1
2
.
.
.
.
106
0
1
2
Instruction Register
Bypass Register
Selection
Circuitry
Selection
Circuitry
TAP Controller
TDI
TDO
TCK
TMS
Parameter
V
OH1
V
OH2
V
OL1
V
OL2
V
IH
V
IL
I
X
Note:
11. These characteristics pertain to the TAP inputs (TMS, TCK, TDI and TDO). Parallel load levels are specified in the Electrical Characteristics table.
Description
Test Conditions
I
OH
=
–2.0 mA
I
OH
=
–100
μ
A
I
OL
= 2.0 mA
I
OL
= 100
μ
A
Min.
1.4
1.6
Max.
Unit
V
V
V
V
V
V
μ
A
Output HIGH Voltage
Output HIGH Voltage
Output LOW Voltage
Output LOW Voltage
Input HIGH Voltage
Input LOW Voltage
Input and OutputLoad Current
0.4
0.2
0.65V
DD
–0.3
5
V
DD
+ 0.3
0.35V
DD
5
GND
≤
V
I
≤
V
DD
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1525V18-200BZXC | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1525V18-200BZXI | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1525V18-250BZI | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1525V18-250BZXC | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1525V18-250BZXI | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1525V18-200BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 8M x 9 1.8V QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1525V18-250BZXC | 功能描述:IC SRAM 72MBIT 250MHZ 165LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| CY7C1526K | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:FOR REG PURPOSE ONLY - Trays |
| CY7C1526KV18-300BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (8Mx9) 1.8v 300MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1543KV18-400BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (4Mx18) 1.8v 400MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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