參數(shù)資料
型號： CY7C1524AV18-300BZXC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述： 2M X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù)： 25/28頁
文件大?。?/td> 1133K
代理商： CY7C1524AV18-300BZXC
PRELIMINARY
CY7C1522AV18
CY7C1529AV18
CY7C1523AV18
CY7C1524AV18
Document #: 001-06981 Rev. *B
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(MHz)
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300
CY7C1522AV18-300BZC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1529AV18-300BZC
CY7C1523AV18-300BZC
CY7C1524AV18-300BZC
300
CY7C1522AV18-300BZXC 51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free Commercial
CY7C1529AV18-300BZXC
CY7C1523AV18-300BZXC
CY7C1524AV18-300BZXC
300
CY7C1522AV18-300BZI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1529AV18-300BZI
CY7C1523AV18-300BZI
CY7C1524AV18-300BZI
300
CY7C1522AV18-300BZXI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1529AV18-300BZXI
CY7C1523AV18-300BZXI
CY7C1524AV18-300BZXI
278
CY7C1522AV18-278BZC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1529AV18-278BZC
CY7C1523AV18-278BZC
CY7C1524AV18-278BZC
278
CY7C1522AV18-278BZXC 51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free Commercial
CY7C1529AV18-278BZXC
CY7C1523AV18-278BZXC
CY7C1524AV18-278BZXC
278
CY7C1522AV18-278BZI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1529AV18-278BZI
CY7C1523AV18-278BZI
CY7C1524AV18-278BZI
278
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51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1529AV18-278BZXI
CY7C1523AV18-278BZXI
CY7C1524AV18-278BZXI
250
CY7C1522AV18-250BZC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1529AV18-250BZC
CY7C1523AV18-250BZC
CY7C1524AV18-250BZC
250
CY7C1522AV18-250BZXC 51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free Commercial
CY7C1529AV18-250BZXC
CY7C1523AV18-250BZXC
CY7C1524AV18-250BZXC
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Industrial
Industrial
Commercial
Industrial
Industrial
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PDF描述
CY7C1524AV18-300BZXI 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1523V18 RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata
CY7C1392BV18 RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata
CY7C1393BV18 RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata
CY7C1394BV18 RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata
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參數(shù)描述
CY7C1525JV18250BZC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1525JV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 8M x 9 1.8V QDR-II 靜態(tài)隨機存取存儲器 Two-Word Burst RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1525JV18-250BZCES 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
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CY7C1525KV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (8Mx9) 1.8v 250MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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