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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1524AV18-300BZI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 2M X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 24/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 1133K |
| 代理商： | CY7C1524AV18-300BZI |
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PRELIMINARY
CY7C1522AV18
CY7C1529AV18
CY7C1523AV18
CY7C1524AV18
Document #: 001-06981 Rev. *B
Page 24 of 28
Switching Waveforms
[29, 30, 31]
Notes:
29.Q00 refers to output from address A0. Q01 refers to output from the next internal burst address following A0, i.e., A0+1.
30.Outputs are disabled (High-Z) one clock cycle after a NOP.
31.In this example, if address A2 = A1,then data Q20 = D10 and Q21 = D11. Write data is forwarded immediately as read results. This note applies to the whole diagram
K
1
2
3
4
5
6
7
8
K
LD
R/W
A
Q
D
C
C#
READ
(burst of 2)
READ
(burst of 2)
READ
(burst of 2)
WRITE
(burst of 2)
WRITE
(burst of 2)
tKHCH
tKHCH
NOP
NOP
CQ
CQ#
tKH
tKHKH
tCO
tKL
tCYC
t
tHC
tSA
tHA
tSD
tHD
tSD
tHD
tCLZ
tDOH
SC
tKH
tKHKH
tKL
tCYC
tCQD
tCCQO
tCQOH
tCCQO
tCQOH
DON’T CARE
UNDEFINED
A0
A1
A2
A3
A4
D20
D21
D30
D31
Q40
Q11
Q10
Q41
Q00
Q01
tCQDOH
t
CQH
t
CQHCQH
tCHZ
[+] Feedback
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1524AV18-300BZXC | 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1524AV18-300BZXI | 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1523V18 | RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata |
| CY7C1392BV18 | RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata |
| CY7C1393BV18 | RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1525JV18250BZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1525JV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 8M x 9 1.8V QDR-II 靜態(tài)隨機存取存儲器 Two-Word Burst RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1525JV18-250BZCES | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1525JV18-250BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 8M x 9 1.8V QDR-II 靜態(tài)隨機存取存儲器 Two-Word Burst RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1525KV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (8Mx9) 1.8v 250MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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