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參數資料
| 型號： | CY7C1524AV18-278BZXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 2M X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數： | 2/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 1133K |
| 代理商： | CY7C1524AV18-278BZXC |
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PRELIMINARY
CY7C1522AV18
CY7C1529AV18
CY7C1523AV18
CY7C1524AV18
Document #: 001-06981 Rev. *B
Page 2 of 28
Logic Block Diagram (CY7C1522AV18)
4M x 8
Memory
Array
CLK
Gen.
A
(21:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
D
[7: 0]
R
Read Data Reg.
LD
NWS
0
NWS
1
Q
[7:0]
Control
Logic
Reg.
Reg.
Reg.
8
8
16
Write
Data Reg
8
V
REF
W
Write
Data Reg
4M x 8
Memory
Array
8
8
22
8
C
C
R/W
LD
R/W
CQ
CQ
DOFF
Logic Block Diagram (CY7C1529AV18)
4M x 9
Memory
Array
CLK
Gen.
A
(21:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
D
[8: 0]
R
Read Data Reg.
LD
BWS
0
Q
[8: 0]
Control
Logic
Reg.
Reg.
Reg.
9
9
18
Write
Data Reg
9
V
REF
W
Write
Data Reg
4M x 9
Memory
Array
9
9
22
9
C
C
R/W
LD
R/W
CQ
CQ
DOFF
[+] Feedback
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1524AV18-278BZXI | 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1524AV18-300BZC | 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1524AV18-300BZI | 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1524AV18-300BZXC | 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1524AV18-300BZXI | 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| CY7C1525JV18250BZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1525JV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 8M x 9 1.8V QDR-II 靜態(tài)隨機存取存儲器 Two-Word Burst RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1525JV18-250BZCES | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1525JV18-250BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 8M x 9 1.8V QDR-II 靜態(tài)隨機存取存儲器 Two-Word Burst RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1525KV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (8Mx9) 1.8v 250MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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