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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1524AV18-200BZXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 2M X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/28頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1133K |
| 代理商： | CY7C1524AV18-200BZXC |
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PRELIMINARY
CY7C1522AV18
CY7C1529AV18
CY7C1523AV18
CY7C1524AV18
Document #: 001-06981 Rev. *B
Page 5 of 28
Pin Configurations
[1]
(continued)
CY7C1523AV18 (4M x 18)
2
3
A
D9
D10
Q10
Q11
D12
Q13
4
5
6
K
K
A
7
1
A
B
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NC
NC
NC
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DOFF
NC
NC
NC
NC
V
SS
/144M
Q9
NC
D11
BWS
1
NC
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
R/W
A
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SS
V
SS
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DDQ
V
DDQ
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DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
NC
BWS
0
A
V
SS
NC
NC
TDO
NC
Q12
D13
V
REF
NC
Q15
NC
D17
NC
TCK
NC
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
A
C
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
SS
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DDQ
D14
Q14
D15
D16
Q16
Q17
A
V
DD
V
DD
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SS
V
SS
A
A
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DD
V
SS
A
A
C
A
8
9
A
10
A
NC
Q7
NC
D6
11
CQ
Q8
D8
D7
Q0
LD
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
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DDQ
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DDQ
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V
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A
A
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NC
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Q6
Q5
D5
ZQ
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D0
NC
NC
V
REF
Q4
D3
NC
Q1
Q3
Q2
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
D4
D2
D1
TDI
TMS
A
165-ball FBGA (15 x 17 x 1.4 mm) Pinout
CY7C1524AV18 (2M x 36)
2
3
A
4
5
6
7
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
A
CQ
Q27
D27
D28
Q29
D34
Q35
DOFF
D31
Q32
Q33
D33
V
SS
/288M
Q18
Q28
D20
BWS
2
BWS
3
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
K
K
A
R/W
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
BWS
1
BWS
0
A
V
SS
D18
D19
Q19
Q20
D21
Q22
Q30
D30
TDO
D29
Q21
D22
V
REF
D32
Q24
Q34
D26
Q31
TCK
D35
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
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DD
A
C
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
SS
V
DDQ
D23
Q23
D24
D25
Q25
Q26
A
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
V
DD
V
SS
A
A
C
A
8
9
A
10
11
CQ
Q8
D8
D7
Q0
V
SS
/144M
Q17
Q7
D15
D6
LD
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
D17
D16
Q16
Q15
D14
Q13
Q6
Q5
D5
ZQ
D9
D0
Q14
D13
V
REF
Q4
D3
Q11
Q1
Q3
Q2
V
DDQ
D12
Q12
D11
D10
Q10
Q9
D4
D2
D1
TDI
TMS
A
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1524AV18-200BZXI | 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1524AV18-250BZC | 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1524AV18-250BZI | 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1524AV18-250BZXC | 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1524AV18-250BZXI | 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1525JV18250BZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1525JV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 8M x 9 1.8V QDR-II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 Two-Word Burst RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1525JV18-250BZCES | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1525JV18-250BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 8M x 9 1.8V QDR-II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 Two-Word Burst RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1525KV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (8Mx9) 1.8v 250MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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