參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1524AV18-167BZXI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述： 2M X 36 DDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 28/28頁(yè)
文件大?。?/td> 1133K
代理商： CY7C1524AV18-167BZXI
PRELIMINARY
CY7C1522AV18
CY7C1529AV18
CY7C1523AV18
CY7C1524AV18
Document #: 001-06981 Rev. *B
Page 28 of 28
Document History Page
Document Title: CY7C1522AV18/CY7C1529AV18/CY7C1523AV18/CY7C1524AV18 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word
Burst Architecture
Document Number: 001-06981
Orig. of
Change
**
433241
See ECN
NXR
New Data Sheet
*A
462002
See ECN
NXR
Changed t
TCYC
from 100 ns to 50 ns, changed t
TH
and t
TL
from 40 ns to 20 ns,
changed t
TMSS
, t
TDIS
, t
CS
, t
TMSH
, t
TDIH
, t
CH
from
10 ns to 5 ns and changed
t
TDOV
from 20 ns to 10 ns in TAP AC Switching Characteristics table
Modified Power-Up waveform
*B
503690
See ECN
VKN
Minor change: Moved data sheet to web
REV.
ECN No.
Issue Date
Description of Change
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1524AV18-200BZC 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1524AV18-200BZI 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1524AV18-200BZXC 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1524AV18-200BZXI 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1524AV18-250BZC 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1525JV18250BZC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1525JV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 8M x 9 1.8V QDR-II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 Two-Word Burst RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1525JV18-250BZCES 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1525JV18-250BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 8M x 9 1.8V QDR-II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 Two-Word Burst RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1525KV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (8Mx9) 1.8v 250MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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