參數(shù)資料
型號: CY7C1522AV18-250BZXI
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述: 8M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝: 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù): 28/28頁
文件大?。?/td> 1133K
代理商: CY7C1522AV18-250BZXI
PRELIMINARY
CY7C1522AV18
CY7C1529AV18
CY7C1523AV18
CY7C1524AV18
Document #: 001-06981 Rev. *B
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Document History Page
Document Title: CY7C1522AV18/CY7C1529AV18/CY7C1523AV18/CY7C1524AV18 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word
Burst Architecture
Document Number: 001-06981
Orig. of
Change
**
433241
See ECN
NXR
New Data Sheet
*A
462002
See ECN
NXR
Changed t
TCYC
from 100 ns to 50 ns, changed t
TH
and t
TL
from 40 ns to 20 ns,
changed t
TMSS
, t
TDIS
, t
CS
, t
TMSH
, t
TDIH
, t
CH
from
10 ns to 5 ns and changed
t
TDOV
from 20 ns to 10 ns in TAP AC Switching Characteristics table
Modified Power-Up waveform
*B
503690
See ECN
VKN
Minor change: Moved data sheet to web
REV.
ECN No.
Issue Date
Description of Change
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1523AV18-300BZC 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1523AV18-300BZI 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1523AV18-300BZXC 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1523AV18-300BZXI 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1524AV18 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1523AV18-200BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 4M x 18 1.8V DDR II SIO 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1523AV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 4M x 18 1.8V DDR II SIO 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1523JV18-300BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 4Mbx18 72Mb 1.7-1.9V 300 MHz 2 WORD BURST RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1523KV18-250BZ 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1523KV18-250BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 72MB (4Mx18) 1.8v 250MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray