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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1522AV18-250BZXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 8M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 21/28頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1133K |
| 代理商： | CY7C1522AV18-250BZXC |
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PRELIMINARY
CY7C1522AV18
CY7C1529AV18
CY7C1523AV18
CY7C1524AV18
Document #: 001-06981 Rev. *B
Page 21 of 28
Capacitance
[21]
Parameter
Description
Test Conditions
T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz,
V
DD
= 1.8V
V
DDQ
= 1.5V
Max.
5.5
8.5
6
Unit
pF
pF
pF
C
IN
C
CLK
C
O
Input Capacitance
Clock Input Capacitance
Output Capacitance
Thermal Resistance
[21]
Parameter
Θ
JA
Θ
JC
Description
Test Conditions
165 FBGA Package
16.2
2.3
Unit
°
C/W
°
C/W
Thermal Resistance (Junction to Ambient) Test conditions follow standard test
Thermal Resistance (Junction to Case)
methods and procedures for measuring
thermal impedance, per EIA / JESD51.
AC Test Loads and Waveforms
1.25V
0.25V
R = 50
5 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
ALL INPUT PULSES
Device
Under
Test
R
L
= 50
Z
0
= 50
V
REF
= 0.75V
V
REF
= 0.75V
[23]
0.75V
0.75V
Device
Under
Test
OUTPUT
0.75V
V
REF
V
REF
OUTPUT
ZQ
ZQ
(a)
Slew Rate = 2 V/ns
RQ =
250
(b)
RQ =
250
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1522AV18-250BZXI | 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1523AV18-300BZC | 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1523AV18-300BZI | 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1523AV18-300BZXC | 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1523AV18-300BZXI | 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1523AV18-200BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M x 18 1.8V DDR II SIO 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1523AV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M x 18 1.8V DDR II SIO 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1523JV18-300BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mbx18 72Mb 1.7-1.9V 300 MHz 2 WORD BURST RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1523KV18-250BZ | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1523KV18-250BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (4Mx18) 1.8v 250MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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