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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1522AV18-200BZXI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 8M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 16/28頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1133K |
| 代理商： | CY7C1522AV18-200BZXI |
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PRELIMINARY
CY7C1522AV18
CY7C1529AV18
CY7C1523AV18
CY7C1524AV18
Document #: 001-06981 Rev. *B
Page 16 of 28
Hold Times
t
TMSH
t
TDIH
t
CH
Output Times
t
TDOV
t
TDOX
TMS Hold after TCK Clock Rise
TDI Hold after Clock Rise
Capture Hold after Clock Rise
5
5
5
ns
ns
ns
TCK Clock LOW to TDO Valid
TCK Clock LOW to TDO Invalid
10
ns
ns
0
TAP Timing and Test Conditions
[13]
TAP AC Switching Characteristics
Over the Operating Range (continued)
[12, 13]
Parameter
Description
Min.
Max.
Unit
(a)
TDO
C
L
= 20 pF
Z
0
= 50
GND
0.9V
50
1.8V
0V
ALL INPUT PULSES
0.9V
Test Clock
TCK
Test Mode Select
TMS
Test Data-In
TDI
Test Data-Out
TDO
t
TCYC
t
TMSH
t
TL
t
TH
t
TMSS
t
TDIS
t
TDIH
t
TDOV
t
TDOX
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1522AV18-250BZC | 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1522AV18-250BZI | 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1522AV18-250BZXC | 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1522AV18-250BZXI | 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1523AV18-300BZC | 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1523AV18-200BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M x 18 1.8V DDR II SIO 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1523AV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M x 18 1.8V DDR II SIO 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1523JV18-300BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mbx18 72Mb 1.7-1.9V 300 MHz 2 WORD BURST RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1523KV18-250BZ | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1523KV18-250BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (4Mx18) 1.8v 250MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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