- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄379087 > CY7C1522AV18-167BZXI (CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP) 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1522AV18-167BZXI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 8M X 8 DDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/28頁(yè) |
| 文件大小： | 1133K |
| 代理商： | CY7C1522AV18-167BZXI |
第1頁(yè)當(dāng)前第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)
PRELIMINARY
CY7C1522AV18
CY7C1529AV18
CY7C1523AV18
CY7C1524AV18
Document #: 001-06981 Rev. *B
Page 2 of 28
Logic Block Diagram (CY7C1522AV18)
4M x 8
Memory
Array
CLK
Gen.
A
(21:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
D
[7: 0]
R
Read Data Reg.
LD
NWS
0
NWS
1
Q
[7:0]
Control
Logic
Reg.
Reg.
Reg.
8
8
16
Write
Data Reg
8
V
REF
W
Write
Data Reg
4M x 8
Memory
Array
8
8
22
8
C
C
R/W
LD
R/W
CQ
CQ
DOFF
Logic Block Diagram (CY7C1529AV18)
4M x 9
Memory
Array
CLK
Gen.
A
(21:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
D
[8: 0]
R
Read Data Reg.
LD
BWS
0
Q
[8: 0]
Control
Logic
Reg.
Reg.
Reg.
9
9
18
Write
Data Reg
9
V
REF
W
Write
Data Reg
4M x 9
Memory
Array
9
9
22
9
C
C
R/W
LD
R/W
CQ
CQ
DOFF
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1522AV18-200BZC | 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1522AV18-200BZI | 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1522AV18-200BZXC | 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1522AV18-200BZXI | 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1522AV18-250BZC | 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1523AV18-200BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M x 18 1.8V DDR II SIO 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1523AV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M x 18 1.8V DDR II SIO 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1523JV18-300BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mbx18 72Mb 1.7-1.9V 300 MHz 2 WORD BURST RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1523KV18-250BZ | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1523KV18-250BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (4Mx18) 1.8v 250MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。