參數(shù)資料
型號: CY7C1520V18
廠商: Cypress Semiconductor Corp.
英文描述: RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata
中文描述: RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR-二勘誤表
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代理商: CY7C1520V18
Document #: 001-06217 Rev. *C
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Document Title: RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata
Document #: 001-06217 Rev. *C
Issue
Date
**
419849
See ECN
*A
493936
See ECN
REV.
ECN NO.
Orig. of
Change
REF
QKS
Description of Change
New errata for Ram9 QDR2/DDR2 SRAMs.
Added Output buffer and JTAG mode issues, Item#2 and #3
Added 9Mb QDR-II Burst of 2 and QDR-1/DDR-I part numbers.
Added missing part numbers in the title for Spec#’s 38-05615,38-05614,
38-05363,38-05563 on Table 5 on page 7.
Updated the fix status of the three issues, and modified the description for
the Output Buffer workaround for x9 devices on page 5.
*B
733176
See ECN
NJY
*C
1030020
See ECN
TBE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1521V18 RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata
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CY7C1528V18 RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata
CY7C1527V18-250BZXI 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1520V18-167BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2M x 36 1.8V DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1520V18-200BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2M x 36 1.8V DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1520V18-200BZCES 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC SGL 1.8V 72MBIT 2MX36 0.45NS 165FBGA - Bulk
CY7C1520V18-200BZCT 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72-Mbit DDR-II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1520V18-225BZC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:2MX36 72M DDR-II BURST 2 SRAM - Bulk