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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1520V18-167BZXI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 2M X 36 DDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 25/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 457K |
| 代理商： | CY7C1520V18-167BZXI |
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CY7C1516V18
CY7C1527V18
CY7C1518V18
CY7C1520V18
Document #: 38-05563 Rev. *D
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Ordering Information
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Speed
(MHz)
Ordering Code
Diagram
167
CY7C1516V18-167BZC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1527V18-167BZC
CY7C1518V18-167BZC
CY7C1520V18-167BZC
CY7C1516V18-167BZXC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1527V18-167BZXC
CY7C1518V18-167BZXC
CY7C1520V18-167BZXC
CY7C1516V18-167BZI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1527V18-167BZI
CY7C1518V18-167BZI
CY7C1520V18-167BZI
CY7C1516V18-167BZXI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1527V18-167BZXI
CY7C1518V18-167BZXI
CY7C1520V18-167BZXI
200
CY7C1516V18-200BZC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1527V18-200BZC
CY7C1518V18-200BZC
CY7C1520V18-200BZC
CY7C1516V18-200BZXC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1527V18-200BZXC
CY7C1518V18-200BZXC
CY7C1520V18-200BZXC
CY7C1516V18-200BZI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1527V18-200BZI
CY7C1518V18-200BZI
CY7C1520V18-200BZI
CY7C1516V18-200BZXI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1527V18-200BZXI
CY7C1518V18-200BZXI
CY7C1520V18-200BZXI
250
CY7C1516V18-250BZC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1527V18-250BZC
CY7C1518V18-250BZC
CY7C1520V18-250BZC
CY7C1516V18-250BZXC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1527V18-250BZXC
CY7C1518V18-250BZXC
CY7C1520V18-250BZXC
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Package Type
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Range
Commercial
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Commercial
Industrial
Commercial
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1520V18-200BZC | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1520V18-200BZI | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1520V18-200BZXC | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1520V18-200BZXI | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1520V18-250BZC | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1520V18-200BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 2M x 36 1.8V DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1520V18-200BZCES | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC SGL 1.8V 72MBIT 2MX36 0.45NS 165FBGA - Bulk |
| CY7C1520V18-200BZCT | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 72-Mbit DDR-II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1520V18-225BZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:2MX36 72M DDR-II BURST 2 SRAM - Bulk |
| CY7C1520V18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 2M x 36 1.8V DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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