參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1520AV18
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述： 72兆位的DDR - II SRAM的2字突發(fā)結(jié)構(gòu)
文件頁(yè)數(shù)： 23/28頁(yè)
文件大?。?/td> 1133K
代理商： CY7C1520AV18
PRELIMINARY
CY7C1516AV18
CY7C1527AV18
CY7C1518AV18
CY7C1520AV18
Document #: 001-06982 Rev. *B
Page 23 of 28
Notes:
26.These parameters are extrapolated from the input timing parameters (t
- 250 ps, where 250 ps is the internal jitter. An input jitter of 200 ps (t
KC Var
) ia already
included in the t
). These parameters are only guaranteed by design and are not tested in production.
27.t
, t
, are specified with a load capacitance of 5 pF as in part (b) of AC Test Loads. Transition is measured
±
100 mV from steady-state voltage.
28.At any given voltage and temperature t
CHZ
is less than t
CLZ
and t
CHZ
less than t
CO
.
t
CQD
t
CQHQV
Echo Clock High to Data
Valid
Echo Clock High to Data
Invalid
Output Clock (CQ/CQ)
HIGH
[26]
CQ Clock Rise to CQ Clock
Rise
[26]
(rising edge to rising edge)
–
0.27
–
0.27
–
0.30
–
0.35
–
0.40
ns
t
CQDOH
t
CQHQX
–0.27
–
–0.27
–
–0.30
–
–0.35
–
–0.40
–
ns
t
CQH
t
CQHCQL
1.24
–
1.35
–
1.55
–
1.95
–
2.45
–
ns
t
CQHCQH
t
CQHCQH
1.24
–
1.35
–
1.55
–
1.95
–
2.45
–
ns
t
CHZ
t
CHQZ
Clock (C/C) Rise to High-Z
(Active to High-Z)
[27, 28]
Clock (C/C) Rise to
Low-Z
[27, 28]
–
0.45
–
0.45
–
0.45
–
0.45
–
0.50
ns
t
CLZ
t
CHQX1
–0.45
–
–0.45
–
–0.45
–
–0.45
–
–0.50
–
ns
DLL Timing
t
KC Var
t
KC lock
t
KC Reset
t
KC Var
t
KC lock
t
KC Reset
Clock Phase Jitter
DLL Lock Time (K, C)
K Static to DLL Reset
–
0.20
–
–
–
0.20
–
–
–
0.20
–
–
–
0.20
–
–
–
0.20
–
–
ns
1024
30
1024
30
1024
30
1024
30
1024
30
Cycles
ns
Switching Characteristics
Over the Operating Range (continued)
[22, 23]
Cypress
Parameter
Consortium
Parameter
Description
300 MHz
Min. Max. Min. Max. Min. Max. Min. Max. Min. Max.
278 MHz
250 MHz
200 MHz
167 MHz
Unit
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1520AV18-167BZC 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1520AV18-167BZI 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1520AV18-167BZXC 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1520AV18-167BZXI 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1520AV18-200BZC 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1520AV18-200BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2M x 36 1.8V DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1520AV18-200BZCT 功能描述:IC SRAM 72MBIT 200MHZ 165TFBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ
CY7C1520AV18-200BZI 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1520AV18-200BZXI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx36 1.8V DDR-II (2-Word Burst) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1520AV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2M x 36 1.8V DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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