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參數資料
| 型號： | CY7C1520AV18-200BZC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 2M X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數： | 4/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 1133K |
| 代理商： | CY7C1520AV18-200BZC |
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PRELIMINARY
CY7C1516AV18
CY7C1527AV18
CY7C1518AV18
CY7C1520AV18
Document #: 001-06982 Rev. *B
Page 4 of 28
Pin Configurations
[1]
Note:
1. V
SS
/144M and V
SS
/288M are not connected to the die and can be tied to any voltage level.
CY7C1516AV18 (8M x 8)
5
NWS
1
R/W
A
NC
V
SS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
V
DD
V
DDQ
V
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SS
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SS
A
V
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A
A
A
A
2
A
3
A
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K
K
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1
A
B
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CQ
NC
NC
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NC
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DOFF
NC
NC
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DQ4
NC
DQ5
NC
NC
TDO
NC
NC
NC
V
REF
NC
DQ6
NC
NC
NC
TCK
NC
NWS
0
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
A
C
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
SS
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
DQ7
A
V
DD
V
SS
A
A
C
V
DD
8
9
A
10
A
NC
NC
NC
NC
11
CQ
DQ3
NC
NC
NC
LD
A
V
SS
V
SS
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DDQ
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V
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DQ2
NC
NC
ZQ
NC
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V
REF
DQ1
NC
NC
NC
NC
DQ0
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDI
TMS
A
CY7C1527AV18 (8M x 9)
5
NC
R/W
A
NC
V
SS
A
V
SS
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DDQ
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SS
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DD
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SS
A
V
SS
A
A
A
A
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A
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A
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K
K
A
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A
B
C
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CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DQ4
NC
DQ5
NC
NC
TDO
NC
NC
NC
V
REF
NC
DQ6
NC
NC
NC
TCK
NC
BWS
0
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
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DD
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A
C
V
SS
V
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NC
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DQ7
A
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SS
A
A
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A
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A
NC
NC
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CQ
DQ3
NC
NC
DQ8
LD
A
V
SS
V
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V
DDQ
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DDQ
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SS
V
SS
A
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DQ2
NC
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ZQ
NC
NC
NC
NC
V
REF
DQ1
NC
NC
NC
NC
DQ0
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDI
TMS
A
165-ball FBGA (15 x 17 x 1.4 mm) Pinout
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1520AV18-200BZI | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1520AV18-200BZXC | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1520AV18-200BZXI | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1520AV18-250BZC | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1520AV18-250BZI | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| CY7C1520AV18-200BZCT | 功能描述:IC SRAM 72MBIT 200MHZ 165TFBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| CY7C1520AV18-200BZI | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1520AV18-200BZXI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx36 1.8V DDR-II (2-Word Burst) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1520AV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2M x 36 1.8V DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1520AV18-250BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2M x 36 1.8V DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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