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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1518AV18-300BZI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 4M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 2/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 1133K |
| 代理商： | CY7C1518AV18-300BZI |
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PRELIMINARY
CY7C1516AV18
CY7C1527AV18
CY7C1518AV18
CY7C1520AV18
Document #: 001-06982 Rev. *B
Page 2 of 28
Logic Block Diagram (CY7C1516AV18)
CLK
Gen.
A
(21: 0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
R
Read Data Reg.
R/W
NWS
[1 : 0]
DQ
[7:0]
Output
Logic
Control
Reg.
Reg.
Reg.
8
8
16
8
V
REF
W
8
C
C
8
LD
22
4
4
Write
Reg
Write
Reg
CQ
CQ
R/W
DOFF
Logic Block Diagram (CY7C1527AV18)
CLK
Gen.
A
(21:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
R
Read Data Reg.
R/W
BWS
[0]
DQ
[8: 0]
Output
Logic
Control
Reg.
Reg.
Reg.
9
9
18
9
V
REF
W
9
C
C
9
LD
22
4
4
Write
Reg
Write
Reg
CQ
CQ
R/W
DOFF
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1518AV18-300BZXC | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1518AV18-300BZXI | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1520AV18 | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1520AV18-167BZC | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1520AV18-167BZI | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1518BC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1518JV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 4M x 18 1.8V DDR-II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (TWO-WRD BURST) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1518JV18-300BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 4M x 18 1.8V DDR-II (2-Word Burst) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1518JV18-300BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 4M x 18 1.8V DDR-II (2-Word Burst) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1518JV18-312BZC | 功能描述:IC SRAM 4MX18 DDRII 165-FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
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