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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1518AV18-278BZI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 4M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/28頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1133K |
| 代理商： | CY7C1518AV18-278BZI |
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PRELIMINARY
CY7C1516AV18
CY7C1527AV18
CY7C1518AV18
CY7C1520AV18
Document #: 001-06982 Rev. *B
Page 3 of 28
4M x 18 Array
Write
Reg
Write
Reg
Logic Block Diagram (CY7C1518AV18)
CLK
Gen.
A
(21: 0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
R
Read Data Reg.
R/W
BWS
[1: 0]
DQ
[17: 0]
Output
Logic
Control
Reg.
Reg.
Reg.
18
18
36
18
V
REF
W
18
22
C
C
18
LD
Burst
Logic
A0
A
(21:1)
21
CQ
CQ
R/W
DOFF
Logic Block Diagram (CY7C1520AV18)
CLK
Gen.
A
(20:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
R
Read Data Reg.
R/W
BWS
[3:0]
DQ
[35: 0]
Output
Logic
Control
Reg.
Reg.
Reg.
36
36
72
36
V
REF
W
36
21
C
C
36
LD
Burst
Logic
A0
A
(20:1)
20
2M x 36 Array
Write
Reg
Write
Reg
CQ
CQ
36
R/W
DOFF
Selection Guide
300 MHz
300
900
278 MHz
278
860
250 MHz
250
800
200 MHz
200
700
167 MHz
167
650
Unit
MHz
mA
Maximum Operating Frequency
Maximum Operating Current
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1518AV18-278BZXC | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1518AV18-278BZXI | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1518AV18-300BZC | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1518AV18-300BZI | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1518AV18-300BZXC | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1518BC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1518JV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M x 18 1.8V DDR-II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (TWO-WRD BURST) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1518JV18-300BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M x 18 1.8V DDR-II (2-Word Burst) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1518JV18-300BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M x 18 1.8V DDR-II (2-Word Burst) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1518JV18-312BZC | 功能描述:IC SRAM 4MX18 DDRII 165-FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
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