參數(shù)資料
型號： CY7C1518AV18-250BZXC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述： 4M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù)： 25/28頁
文件大?。?/td> 1133K
代理商： CY7C1518AV18-250BZXC
PRELIMINARY
CY7C1516AV18
CY7C1527AV18
CY7C1518AV18
CY7C1520AV18
Document #: 001-06982 Rev. *B
Page 25 of 28
Ordering Information
“Not all of the speed, package and temperature ranges are available. Please contact your local sales representative or
visit
www.cypress.com
for actual products offered”.
Speed
(MHz)
Ordering Code
Diagram
300
CY7C1516AV18-300BZC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1518AV18-300BZC
CY7C1520AV18-300BZC
CY7C1527AV18-300BZC
300
CY7C1516AV18-300BZXC 51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free Commercial
CY7C1518AV18-300BZXC
CY7C1520AV18-300BZXC
CY7C1527AV18-300BZXC
300
CY7C1516AV18-300BZI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1518AV18-300BZI
CY7C1520AV18-300BZI
CY7C1527AV18-300BZI
300
CY7C1516AV18-300BZXI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1518AV18-300BZXI
CY7C1520AV18-300BZXI
CY7C1527AV18-300BZXI
278
CY7C1516AV18-278BZC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1518AV18-278BZC
CY7C1520AV18-278BZC
CY7C1527AV18-278BZC
278
CY7C1516AV18-278BZXC 51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free Commercial
CY7C1518AV18-278BZXC
CY7C1520AV18-278BZXC
CY7C1527AV18-278BZXC
278
CY7C1516AV18-278BZI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1518AV18-278BZI
CY7C1520AV18-278BZI
CY7C1527AV18-278BZI
278
CY7C1516AV18-278BZXI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1518AV18-278BZXI
CY7C1520AV18-278BZXI
CY7C1527AV18-278BZXI
250
CY7C1516AV18-250BZC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1518AV18-250BZC
CY7C1520AV18-250BZC
CY7C1527AV18-250BZC
250
CY7C1516AV18-250BZXC 51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free Commercial
CY7C1518AV18-250BZXC
CY7C1520AV18-250BZXC
CY7C1527AV18-250BZXC
Package
Package Type
Operating
Range
Commercial
Industrial
Industrial
Commercial
Industrial
Industrial
Commercial
[+] Feedback
相關PDF資料
PDF描述
CY7C1518AV18-250BZXI 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1518AV18-278BZC 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1518AV18-278BZI 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1518AV18-278BZXC 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1518AV18-278BZXI 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1518AV18-250BZXI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M x 18 1.8V DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1518BC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1518JV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M x 18 1.8V DDR-II 靜態(tài)隨機存取存儲器 (TWO-WRD BURST) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1518JV18-300BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M x 18 1.8V DDR-II (2-Word Burst) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1518JV18-300BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M x 18 1.8V DDR-II (2-Word Burst) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*