參數(shù)資料
型號: CY7C1518AV18-200BZI
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述: 4M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝: 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù): 2/28頁
文件大?。?/td> 1133K
代理商: CY7C1518AV18-200BZI
PRELIMINARY
CY7C1516AV18
CY7C1527AV18
CY7C1518AV18
CY7C1520AV18
Document #: 001-06982 Rev. *B
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Logic Block Diagram (CY7C1516AV18)
CLK
Gen.
A
(21: 0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
R
Read Data Reg.
R/W
NWS
[1 : 0]
DQ
[7:0]
Output
Logic
Control
Reg.
Reg.
Reg.
8
8
16
8
V
REF
W
8
C
C
8
LD
22
4
4
Write
Reg
Write
Reg
CQ
CQ
R/W
DOFF
Logic Block Diagram (CY7C1527AV18)
CLK
Gen.
A
(21:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
R
Read Data Reg.
R/W
BWS
[0]
DQ
[8: 0]
Output
Logic
Control
Reg.
Reg.
Reg.
9
9
18
9
V
REF
W
9
C
C
9
LD
22
4
4
Write
Reg
Write
Reg
CQ
CQ
R/W
DOFF
[+] Feedback
相關PDF資料
PDF描述
CY7C1518AV18-200BZXC 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1518AV18-200BZXI 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1518AV18-250BZC 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1518AV18-250BZI 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1518AV18-250BZXC 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1518AV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M x 18 1.8V DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1518AV18-250BZI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M x 18 1.8V DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1518AV18-250BZXI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M x 18 1.8V DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1518BC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1518JV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M x 18 1.8V DDR-II 靜態(tài)隨機存取存儲器 (TWO-WRD BURST) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray