- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄379088 > CY7C1516V18-278BZI (CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP) 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1516V18-278BZI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 8M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 24/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 457K |
| 代理商： | CY7C1516V18-278BZI |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁當(dāng)前第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁
CY7C1516V18
CY7C1527V18
CY7C1518V18
CY7C1520V18
Document #: 38-05563 Rev. *D
Page 24 of 28
Switching Waveforms
[29, 30, 31]
Notes:
29.Q00 refers to output from address A0. Q01 refers to output from the next internal burst address following A0, i.e., A0+1.
30.Output are disabled (High-Z) one clock cycle after a NOP.
31.In this example, if address A2 = A1,then data Q20 = D10 and Q21 = D11. Write data is forwarded immediately as read results. This note applies to the whole diagram.
READ
2
READ
8
READ
3
NOP
4
NOP
5
WRITE
7
WRITE
6
NOP
1
9
10
Q40
tKHCH
tCO
t
tHC
t
tHA
tSD
tHD
tKHCH
tSD
tHD
DON’T CARE
UNDEFINED
tCLZ
tDOH
tCHZ
SC
tKH
tKHKH
tKL
tCYC
A0
D20
D21
D30
D31
Q00
Q11
Q01
Q10
A1
A2
A3
A4
Q41
tCCQO
tCQOH
tCCQO
tCQOH
tKL
tCYC
K
K
LD
R/W
A
DQ
C
C#
CQ
CQ#
SA
tKH
tKHKH
t
CQD
t
CQDOH
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1516V18-278BZXC | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1516V18-278BZXI | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1516V18-300BZC | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1520V18-167BZXC | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1520V18-167BZXI | 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1518-250BZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1518AV18-167BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 4M x 18 1.8V DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1518AV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 4M x 18 1.8V DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1518AV18-250BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 4M x 18 1.8V DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1518AV18-250BZXI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 4M x 18 1.8V DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。