參數(shù)資料
型號： CY7C1480V25-200BZXI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined Sync SRAM
中文描述： 2M X 36 CACHE SRAM, 3 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-165
文件頁數(shù)： 15/31頁
文件大?。?/td> 530K
代理商： CY7C1480V25-200BZXI
CY7C1480V25
CY7C1482V25
CY7C1486V25
Document #: 38-05282 Rev. *G
Page 15 of 31
2.5V TAP AC Test Conditions
Input pulse levels................................................ V
SS
to 2.5V
Input rise and fall time..................................................... 1 ns
Input timing reference levels.........................................1.25V
Output reference levels.................................................1.25V
Test load termination supply voltage.............................1.25V
2.5V TAP AC Output Load Equivalent
1.8V TAP AC Test Conditions
Input pulse levels..................................... 0.2V to V
DDQ
– 0.2
Input rise and fall time ......................................................1ns
Input timing reference levels...........................................0.9V
Output reference levels ..................................................0.9V
Test load termination supply voltage ..............................0.9V
1.8V TAP AC Output Load Equivalent
TDO
1.25V
20pF
Z = 50
50
TDO
0.9V
20pF
Z = 50
50
TAP DC Electrical Characteristics And Operating Conditions
(0°C < T
A
< +70°C; V
DD
= 2.5V ±0.125V unless otherwise noted)
[10]
Parameter
Description
V
OH1
Output HIGH Voltage
V
OH2
Output HIGH Voltage
Test Conditions
Min.
1.7
2.1
1.6
Max.
Unit
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
μ
A
I
OH
= –1.0 mA
I
OH
= –100
μ
A
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 1.8V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 1.8V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 1.8V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 1.8V
V
OL1
V
OL2
Output LOW Voltage
Output LOW Voltage
I
OL
= 1.0 mA
I
OL
= 100
μ
A
0.4
0.2
0.2
V
IH
Input HIGH Voltage
1.7
1.26
–0.3
–0.3
–5
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.7
0.36
5
V
IL
Input LOW Voltage
I
X
Input Load Current
GND
≤
V
I
≤
V
DDQ
Identification Register Definitions
Instruction Field
Revision Number (31:29)
Device Depth (28:24)
Architecture/Memory
Type(23:18)
Bus Width/Density(17:12)
Cypress JEDEC ID Code
(11:1)
ID Register Presence
Indicator (0)
CY7C1480V25
(2M x36)
000
01011
000000
CY7C1482V25
(4M x 18)
000
01011
000000
CY7C1486V25
(1M x72)
000
01011
000000
Description
Describes the version number
Reserved for internal use
Defines memory type and
architecture
Defines width and density
Allows unique identification of
SRAM vendor
Indicates the presence of an
ID register
100100
00000110100
010100
00000110100
110100
00000110100
1
1
1
Note:
10.All voltages referenced to V
SS
(GND).
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1480V25-250AXC 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined Sync SRAM
CY7C1480V25-250AXI 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined Sync SRAM
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CY7C1480V25-250BZXC 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined Sync SRAM
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參數(shù)描述
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CY7C1480V33-167ACES 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1480V33-167AXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1480V33-167AXCT 功能描述:IC SRAM 72MBIT 167MHZ 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY7C1480V33-167AXIES 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:72MB(2M X 36)PIPELINE SCD 3.3V CORE, 2.5V/3.3V I/O - Bulk
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