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參數資料
| 型號： | CY7C1480V25-200AXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined Sync SRAM |
| 中文描述： | 2M X 36 CACHE SRAM, 3 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MS-026, TQFP-100 |
| 文件頁數： | 15/31頁 |
| 文件大小： | 530K |
| 代理商： | CY7C1480V25-200AXC |
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CY7C1480V25
CY7C1482V25
CY7C1486V25
Document #: 38-05282 Rev. *G
Page 15 of 31
2.5V TAP AC Test Conditions
Input pulse levels................................................ V
SS
to 2.5V
Input rise and fall time..................................................... 1 ns
Input timing reference levels.........................................1.25V
Output reference levels.................................................1.25V
Test load termination supply voltage.............................1.25V
2.5V TAP AC Output Load Equivalent
1.8V TAP AC Test Conditions
Input pulse levels..................................... 0.2V to V
DDQ
– 0.2
Input rise and fall time ......................................................1ns
Input timing reference levels...........................................0.9V
Output reference levels ..................................................0.9V
Test load termination supply voltage ..............................0.9V
1.8V TAP AC Output Load Equivalent
TDO
1.25V
20pF
Z = 50
50
TDO
0.9V
20pF
Z = 50
50
TAP DC Electrical Characteristics And Operating Conditions
(0°C < T
A
< +70°C; V
DD
= 2.5V ±0.125V unless otherwise noted)
[10]
Parameter
Description
V
OH1
Output HIGH Voltage
V
OH2
Output HIGH Voltage
Test Conditions
Min.
1.7
2.1
1.6
Max.
Unit
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
μ
A
I
OH
= –1.0 mA
I
OH
= –100
μ
A
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 1.8V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 1.8V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 1.8V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 1.8V
V
OL1
V
OL2
Output LOW Voltage
Output LOW Voltage
I
OL
= 1.0 mA
I
OL
= 100
μ
A
0.4
0.2
0.2
V
IH
Input HIGH Voltage
1.7
1.26
–0.3
–0.3
–5
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.7
0.36
5
V
IL
Input LOW Voltage
I
X
Input Load Current
GND
≤
V
I
≤
V
DDQ
Identification Register Definitions
Instruction Field
Revision Number (31:29)
Device Depth (28:24)
Architecture/Memory
Type(23:18)
Bus Width/Density(17:12)
Cypress JEDEC ID Code
(11:1)
ID Register Presence
Indicator (0)
CY7C1480V25
(2M x36)
000
01011
000000
CY7C1482V25
(4M x 18)
000
01011
000000
CY7C1486V25
(1M x72)
000
01011
000000
Description
Describes the version number
Reserved for internal use
Defines memory type and
architecture
Defines width and density
Allows unique identification of
SRAM vendor
Indicates the presence of an
ID register
100100
00000110100
010100
00000110100
110100
00000110100
1
1
1
Note:
10.All voltages referenced to V
SS
(GND).
[+] Feedback
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PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| CY7C1480V25-250BZCES | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V 72MBIT 2MX36 3NS 165FBGA - Bulk |
| CY7C1480V33-167ACES | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1480V33-167AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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