參數(shù)資料
型號(hào): CY7C1474V33
廠商: Cypress Semiconductor Corp.
英文描述: 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
中文描述: 72兆位(2米x 36/4M x 18/1M × 72)的總線延遲架構(gòu)流水線的SRAM
文件頁數(shù): 2/28頁
文件大?。?/td> 378K
代理商: CY7C1474V33
PRELIMINARY
CY7C1470V33
CY7C1472V33
CY7C1474V33
Document #: 38-05289 Rev. *E
Page 2 of 28
Logic Block Diagram-CY7C1472V33 (4M x 18)
A0, A1, A
C
MODE
BW
a
BW
b
WE
CE1
CE2
CE3
OE
READ LOGIC
DQs
DQP
a
DQP
b
D
A
T
A
S
T
E
E
R
I
N
G
O
U
T
P
U
T
B
U
F
F
E
R
S
ARRAY
E
E
INPUT
REGISTER 0
ADDRESS
REGISTER 0
WRITE ADDRESS
REGISTER 1
WRITE ADDRESS
REGISTER 2
WRITE REGISTRY
AND DATA COHERENCY
CONTROL LOGIC
BURST
LOGIC
A0'
A1'
D1
D0
Q1
Q0
A0
A1
C
ADV/LD
ADV/LD
E
INPUT
REGISTER 1
S
E
N
S
E
A
M
P
S
O
U
T
P
U
T
R
E
G
I
S
T
E
R
S
E
CLK
CEN
WRITE
DRIVERS
ZZ
CSleep
Logic Block Diagram-CY7C1474V33 (1M x 72)
A0, A1, A
C
MODE
CE1
CE2
CE3
OE
READ LOGIC
DQs
DQP
a
DQP
b
DQP
c
DQP
d
DQP
e
DQP
f
DQP
g
DQP
h
D
A
T
A
S
T
E
E
R
I
N
G
O
U
T
P
U
T
B
U
F
F
E
R
S
ARRAY
E
E
INPUT
REGISTER 0
ADDRESS
REGISTER 0
WRITE ADDRESS
REGISTER 1
WRITE ADDRESS
REGISTER 2
BURST
LOGIC
A0'
A1'
D1
D0
Q1
Q0
A0
A1
C
ADV/LD
BW
a
BW
b
BW
c
BW
d
BW
e
BW
f
BW
g
BW
h
ADV/LD
E
INPUT
REGISTER 1
S
E
N
S
E
A
M
P
S
O
U
T
P
U
T
R
E
G
I
S
T
E
R
S
E
CLK
CEN
WRITE
DRIVERS
WE
ZZ
CSleep
WRITE REGISTRY
AND DATA COHERENCY
CONTROL LOGIC
Selection Guide
CY7C1470V33-250
CY7C1472V33-250
CY7C1474V33-250
3.0
500
120
CY7C1470V33-200
CY7C1472V33-200
CY7C1474V33-200
3.0
500
120
CY7C1470V33-167
CY7C1472V33-167
CY7C1474V33-167
3.4
450
120
Unit
ns
mA
mA
Maximum Access Time
Maximum Operating Current
Maximum CMOS Standby Current
Shaded areas contain advance information.
Please contact your local Cypress sales representative for availability of these parts.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1474V33-167BGC 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
CY7C1474V33-167BGI 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
CY7C1474V33-167BGXC 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
CY7C1474V33-167BGXI 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
CY7C1474V33-200BGC 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1474V33-167BGC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (1Mx72) 3.3v 167MHz 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1474V33-167BGCES 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:1MX72, 3.3V NOBL PL SRAM - Bulk
CY7C1474V33-167BGCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mx72 3.3V NoBL PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1474V33-167BGI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mx72 3.3V NoBL PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1474V33-167BGIT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mx72 3.3V NoBL PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray