參數(shù)資料
型號： CY7C1474V33-167BGXI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
中文描述： 1M X 72 ZBT SRAM, 3.4 ns, PBGA209
封裝： 14 X 22 MM, 1.76 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-209
文件頁數(shù)： 2/28頁
文件大?。?/td> 378K
代理商： CY7C1474V33-167BGXI
PRELIMINARY
CY7C1470V33
CY7C1472V33
CY7C1474V33
Document #: 38-05289 Rev. *E
Page 2 of 28
Logic Block Diagram-CY7C1472V33 (4M x 18)
A0, A1, A
C
MODE
BW
a
BW
b
WE
CE1
CE2
CE3
OE
READ LOGIC
DQs
DQP
a
DQP
b
D
A
T
A
S
T
E
E
R
I
N
G
O
U
T
P
U
T
B
U
F
F
E
R
S
ARRAY
E
E
INPUT
REGISTER 0
ADDRESS
REGISTER 0
WRITE ADDRESS
REGISTER 1
WRITE ADDRESS
REGISTER 2
WRITE REGISTRY
AND DATA COHERENCY
CONTROL LOGIC
BURST
LOGIC
A0'
A1'
D1
D0
Q1
Q0
A0
A1
C
ADV/LD
ADV/LD
E
INPUT
REGISTER 1
S
E
N
S
E
A
M
P
S
O
U
T
P
U
T
R
E
G
I
S
T
E
R
S
E
CLK
CEN
WRITE
DRIVERS
ZZ
CSleep
Logic Block Diagram-CY7C1474V33 (1M x 72)
A0, A1, A
C
MODE
CE1
CE2
CE3
OE
READ LOGIC
DQs
DQP
a
DQP
b
DQP
c
DQP
d
DQP
e
DQP
f
DQP
g
DQP
h
D
A
T
A
S
T
E
E
R
I
N
G
O
U
T
P
U
T
B
U
F
F
E
R
S
ARRAY
E
E
INPUT
REGISTER 0
ADDRESS
REGISTER 0
WRITE ADDRESS
REGISTER 1
WRITE ADDRESS
REGISTER 2
BURST
LOGIC
A0'
A1'
D1
D0
Q1
Q0
A0
A1
C
ADV/LD
BW
a
BW
b
BW
c
BW
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BW
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BW
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BW
h
ADV/LD
E
INPUT
REGISTER 1
S
E
N
S
E
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M
P
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O
U
T
P
U
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R
E
G
I
S
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CLK
CEN
WRITE
DRIVERS
WE
ZZ
CSleep
WRITE REGISTRY
AND DATA COHERENCY
CONTROL LOGIC
Selection Guide
CY7C1470V33-250
CY7C1472V33-250
CY7C1474V33-250
3.0
500
120
CY7C1470V33-200
CY7C1472V33-200
CY7C1474V33-200
3.0
500
120
CY7C1470V33-167
CY7C1472V33-167
CY7C1474V33-167
3.4
450
120
Unit
ns
mA
mA
Maximum Access Time
Maximum Operating Current
Maximum CMOS Standby Current
Shaded areas contain advance information.
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1474V33-200BGC 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
CY7C1474V33-200BGXC 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
CY7C1474V33-250BGC 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
CY7C1474V33-250BGXC 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
CY7C1474V25 72-Mbit(2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1474V33-200BGC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mx72 3.3V NoBL PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1474V33-200BGCES 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Sync Octal 3.3V 72M-Bit 1M x 72-Bit 3ns 209-Pin FBGA 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 3.3V 72MBIT 1MX72 3NS 209FBGA - Bulk
CY7C1474V33-200BGCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mx72 3.3V NoBL PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1474V33-200BGI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mx72 3.3V NoBL PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1474V33-200BGIT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mx72 3.3V NoBL PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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