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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1474V33-167BGXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
| 中文描述： | 1M X 72 ZBT SRAM, 3.4 ns, PBGA209 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 1.76 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-209 |
| 文件頁數(shù)： | 22/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 378K |
| 代理商： | CY7C1474V33-167BGXC |
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PRELIMINARY
CY7C1470V33
CY7C1472V33
CY7C1474V33
Document #: 38-05289 Rev. *E
Page 22 of 28
Switching Waveforms
Read/Write/Timing
[22, 23, 24]
Notes:
22.For this waveform ZZ is tied LOW.
23.When CE is LOW, CE
is LOW, CE
is HIGH and CE
is LOW. When CE is HIGH, CE
is HIGH or CE
is LOW or CE
is HIGH.
24.Order of the Burst sequence is determined by the status of the MODE (0 = Linear, 1= Interleaved). Burst operations are optional.
WRITE
D(A1)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
CLK
tCYC
t
CL
t
CH
10
CE
t
CEH
t
CES
WE
CEN
t
CENH
t
CENS
BW
x
ADV/LD
t
AH
t
AS
ADDRESS
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
t
DH
t
DS
Data
In-Out (DQ)
t
CLZ
D(A1)
D(A2)
D(A5)
Q(A4)
Q(A3)
D(A2+1)
t
DOH
t
CHZ
t
CO
WRITE
D(A2)
BURST
WRITE
D(A2+1)
READ
Q(A3)
READ
Q(A4)
BURST
READ
Q(A4+1)
WRITE
D(A5)
READ
Q(A6)
WRITE
D(A7)
DESELECT
OE
t
OEV
t
OELZ
t
OEHZ
t
DOH
DON’T CARE
UNDEFINED
Q(A6)
Q(A4+1)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1474V33-167BGXI | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1474V33-200BGC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1474V33-200BGXC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1474V33-250BGC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1474V33-250BGXC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1474V33-200BGC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx72 3.3V NoBL PL 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1474V33-200BGCES | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Sync Octal 3.3V 72M-Bit 1M x 72-Bit 3ns 209-Pin FBGA 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 3.3V 72MBIT 1MX72 3NS 209FBGA - Bulk |
| CY7C1474V33-200BGCT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx72 3.3V NoBL PL 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1474V33-200BGI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx72 3.3V NoBL PL 靜態(tài)隨機存取存儲器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1474V33-200BGIT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx72 3.3V NoBL PL 靜態(tài)隨機存取存儲器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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