參數(shù)資料
型號： CY7C1472V33
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
中文描述： 72兆位（2米x 36/4M x 18/1M × 72）的總線延遲架構流水線的SRAM
文件頁數(shù)： 5/28頁
文件大?。?/td> 378K
代理商： CY7C1472V33
PRELIMINARY
CY7C1470V33
CY7C1472V33
CY7C1474V33
Document #: 38-05289 Rev. *E
Page 5 of 28
Pin Configurations
(continued)
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209-ball PBGA
CY7C1474V33 (1M X 72)
相關PDF資料
PDF描述
CY7C1472V33-167BZI 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
CY7C1472V33-167BZXC 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
CY7C1472V33-167BZC 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
CY7C1472V25-167BZC 72-Mbit(2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1473V25-133AXC 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1472V33-167ACES 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
CY7C1472V33-167AXI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4Mx18 3.3V NoBL PL 靜態(tài)隨機存取存儲器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1472V33-167AXIT 功能描述:IC SRAM 72MBIT 167MHZ 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:NoBL™ 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY7C1472V33-167BZCT 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4Mx18 3.3V NoBL PL 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1472V33-167BZIT 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4Mx18 3.3V NoBL PL 靜態(tài)隨機存取存儲器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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