參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1472V25-200BZXC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 72-Mbit(2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
中文描述： 4M X 18 ZBT SRAM, 3 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-165
文件頁數(shù)： 2/28頁
文件大小： 378K
代理商： CY7C1472V25-200BZXC
PRELIMINARY
CY7C1470V33
CY7C1472V33
CY7C1474V33
Document #: 38-05289 Rev. *E
Page 2 of 28
Logic Block Diagram-CY7C1472V33 (4M x 18)
A0, A1, A
C
MODE
BW
a
BW
b
WE
CE1
CE2
CE3
OE
READ LOGIC
DQs
DQP
a
DQP
b
D
A
T
A
S
T
E
E
R
I
N
G
O
U
T
P
U
T
B
U
F
F
E
R
S
ARRAY
E
E
INPUT
REGISTER 0
ADDRESS
REGISTER 0
WRITE ADDRESS
REGISTER 1
WRITE ADDRESS
REGISTER 2
WRITE REGISTRY
AND DATA COHERENCY
CONTROL LOGIC
BURST
LOGIC
A0'
A1'
D1
D0
Q1
Q0
A0
A1
C
ADV/LD
ADV/LD
E
INPUT
REGISTER 1
S
E
N
S
E
A
M
P
S
O
U
T
P
U
T
R
E
G
I
S
T
E
R
S
E
CLK
CEN
WRITE
DRIVERS
ZZ
CSleep
Logic Block Diagram-CY7C1474V33 (1M x 72)
A0, A1, A
C
MODE
CE1
CE2
CE3
OE
READ LOGIC
DQs
DQP
a
DQP
b
DQP
c
DQP
d
DQP
e
DQP
f
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g
DQP
h
D
A
T
A
S
T
E
E
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I
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G
O
U
T
P
U
T
B
U
F
F
E
R
S
ARRAY
E
E
INPUT
REGISTER 0
ADDRESS
REGISTER 0
WRITE ADDRESS
REGISTER 1
WRITE ADDRESS
REGISTER 2
BURST
LOGIC
A0'
A1'
D1
D0
Q1
Q0
A0
A1
C
ADV/LD
BW
a
BW
b
BW
c
BW
d
BW
e
BW
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BW
h
ADV/LD
E
INPUT
REGISTER 1
S
E
N
S
E
A
M
P
S
O
U
T
P
U
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R
E
G
I
S
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S
E
CLK
CEN
WRITE
DRIVERS
WE
ZZ
CSleep
WRITE REGISTRY
AND DATA COHERENCY
CONTROL LOGIC
Selection Guide
CY7C1470V33-250
CY7C1472V33-250
CY7C1474V33-250
3.0
500
120
CY7C1470V33-200
CY7C1472V33-200
CY7C1474V33-200
3.0
500
120
CY7C1470V33-167
CY7C1472V33-167
CY7C1474V33-167
3.4
450
120
Unit
ns
mA
mA
Maximum Access Time
Maximum Operating Current
Maximum CMOS Standby Current
Shaded areas contain advance information.
Please contact your local Cypress sales representative for availability of these parts.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1472V25-250AXC 72-Mbit(2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1472V25-250BZC 72-Mbit(2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1472V25-250BZXC 72-Mbit(2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1472V33 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
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參數(shù)描述
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CY7C1472V33-167ACES 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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CY7C1472V33-167AXIT 功能描述:IC SRAM 72MBIT 167MHZ 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:NoBL™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
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