參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1418BV18-250BZI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述： 2M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 25/28頁(yè)
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代理商： CY7C1418BV18-250BZI
PRELIMINARY
CY7C1416BV18
CY7C1427BV18
CY7C1418BV18
CY7C1420BV18
Document Number: 001-07033 Rev. *B
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300
CY7C1416BV18-300BZC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1427BV18-300BZC
CY7C1418BV18-300BZC
CY7C1420BV18-300BZC
300
CY7C1416BV18-300BZXC 51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free Commercial
CY7C1427BV18-300BZXC
CY7C1418BV18-300BZXC
CY7C1420BV18-300BZXC
300
CY7C1416BV18-300BZI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1427BV18-300BZI
CY7C1418BV18-300BZI
CY7C1420BV18-300BZI
300
CY7C1416BV18-300BZXI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1427BV18-300BZXI
CY7C1418BV18-300BZXI
CY7C1420BV18-300BZXI
278
CY7C1416BV18-278BZC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1427BV18-278BZC
CY7C1418BV18-278BZC
CY7C1420BV18-278BZC
278
CY7C1416BV18-278BZXC 51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free Commercial
CY7C1427BV18-278BZXC
CY7C1418BV18-278BZXC
CY7C1420BV18-278BZXC
278
CY7C1416BV18-278BZI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1427BV18-278BZI
CY7C1418BV18-278BZI
CY7C1420BV18-278BZI
278
CY7C1416BV18-278BZXI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1427BV18-278BZXI
CY7C1418BV18-278BZXI
CY7C1420BV18-278BZXI
250
CY7C1416BV18-250BZC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1427BV18-250BZC
CY7C1418BV18-250BZC
CY7C1420BV18-250BZC
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CY7C1416BV18-250BZXC 51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free Commercial
CY7C1427BV18-250BZXC
CY7C1418BV18-250BZXC
CY7C1420BV18-250BZXC
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Commercial
Industrial
Industrial
Commercial
Industrial
Industrial
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PDF描述
CY7C1418BV18-250BZXC 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1418BV18-250BZXI 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1418BV18-278BZC 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1418BV18-278BZI 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1418BV18-278BZXC 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1418BV18-250BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 DDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1418BV18-267BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 DDR-II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1418JV18-300BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 DDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1418JV18-300BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 DDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1418KV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 36MB (2Mx18) 1.8v 250MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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