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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1418BV18-200BZXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 2M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 2/28頁 |
| 文件大小： | 1132K |
| 代理商： | CY7C1418BV18-200BZXC |
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PRELIMINARY
CY7C1416BV18
CY7C1427BV18
CY7C1418BV18
CY7C1420BV18
Document Number: 001-07033 Rev. *B
Page 2 of 28
Logic Block Diagram (CY7C1416BV18)
CLK
Gen.
A
(20:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
R
Read Data Reg.
R/W
NWS
[1:0]
DQ
[7:0]
Output
Logic
Control
Reg.
Reg.
Reg.
8
8
16
8
V
REF
W
8
C
C
8
LD
21
2
2
Write
Reg
Write
Reg
CQ
CQ
R/W
DOFF
Logic Block Diagram (CY7C1427BV18)
CLK
Gen.
A
(20:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
R
Read Data Reg.
R/W
BWS
[0]
DQ
[8:0]
Output
Logic
Control
Reg.
Reg.
Reg.
9
9
18
9
V
REF
W
9
C
C
9
LD
21
2
2
Write
Reg
Write
Reg
CQ
CQ
R/W
DOFF
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1418BV18-200BZXI | 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1418BV18-250BZC | 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1418BV18-250BZI | 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1418BV18-250BZXC | 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1418BV18-250BZXI | 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1418BV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 DDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1418BV18-250BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 DDR-II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1418BV18-250BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 DDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1418BV18-267BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 DDR-II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1418JV18-300BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 DDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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