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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1418BV18-200BZI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 2M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 5/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 1132K |
| 代理商： | CY7C1418BV18-200BZI |
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PRELIMINARY
CY7C1416BV18
CY7C1427BV18
CY7C1418BV18
CY7C1420BV18
Document Number: 001-07033 Rev. *B
Page 5 of 28
Pin Configurations
(continued)
CY7C1418BV18 (2M x 18)
2
3
A
4
5
6
K
K
A0
V
SS
V
SS
7
1
A
B
C
D
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A
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NC
NC
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NC
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DOFF
NC
NC
NC
NC
NC/72M
DQ9
NC
NC
BWS
1
NC/288M
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
R/W
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
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DDQ
V
DDQ
V
DDQ
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DDQ
V
SS
V
SS
A
A
NC/144M
NC
NC
DQ10
DQ11
NC
DQ13
NC
NC
TDO
NC
DQ12
NC
V
REF
NC
DQ15
NC
NC
NC
TCK
NC
BWS
0
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
A
C
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
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SS
V
SS
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SS
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DD
V
SS
V
DDQ
NC
DQ14
NC
NC
DQ16
DQ17
A
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DD
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DD
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DD
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SS
V
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A
A
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V
SS
A
A
C
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A
10
A
NC
DQ7
NC
NC
11
CQ
DQ8
NC
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DQ0
LD
A
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SS
V
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DDQ
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DDQ
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DDQ
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DDQ
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DDQ
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DDQ
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A
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DQ6
DQ5
NC
ZQ
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REF
DQ4
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DQ1
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V
DDQ
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NC
NC
TDI
TMS
A
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3
A
4
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K
K
A0
V
SS
V
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B
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E
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CQ
NC
NC
NC
NC
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NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC/144M
DQ27
NC
DQ29
BWS
2
BWS
3
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
R/W
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
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DDQ
V
DDQ
V
DDQ
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DDQ
V
SS
V
SS
A
A
BWS
1
BWS
0
A
V
SS
DQ18
DQ28
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
NC
NC
TDO
NC
DQ30
DQ31
V
REF
NC
DQ33
NC
DQ35
NC
TCK
NC
V
SS
V
DD
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A
C
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DD
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DDQ
DQ32
DQ23
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DQ26
A
V
DD
V
DD
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DD
V
SS
V
SS
A
A
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DD
V
SS
A
A
C
A
8
9
A
10
11
CQ
DQ8
DQ7
DQ16
DQ0
NC/72M
NC
DQ17
NC
DQ15
LD
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
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DDQ
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DDQ
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DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DQ6
DQ5
DQ14
ZQ
NC
DQ9
NC
NC
V
REF
DQ13
DQ12
NC
DQ11
DQ3
DQ2
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DQ4
DQ1
DQ10
TDI
TMS
A
CY7C1420BV18 (1M x 36)
165-ball FBGA (15 x 17 x 1.4 mm) Pinout
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1418BV18-200BZXC | 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1418BV18-200BZXI | 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1418BV18-250BZC | 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1418BV18-250BZI | 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1418BV18-250BZXC | 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1418BV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx18 DDR II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1418BV18-250BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx18 DDR-II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1418BV18-250BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx18 DDR II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1418BV18-267BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx18 DDR-II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1418JV18-300BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx18 DDR II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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