參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1416BV18-300BZXI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述： 4M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 25/28頁(yè)
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代理商： CY7C1416BV18-300BZXI
PRELIMINARY
CY7C1416BV18
CY7C1427BV18
CY7C1418BV18
CY7C1420BV18
Document Number: 001-07033 Rev. *B
Page 25 of 28
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Speed
(MHz)
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Diagram
300
CY7C1416BV18-300BZC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1427BV18-300BZC
CY7C1418BV18-300BZC
CY7C1420BV18-300BZC
300
CY7C1416BV18-300BZXC 51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free Commercial
CY7C1427BV18-300BZXC
CY7C1418BV18-300BZXC
CY7C1420BV18-300BZXC
300
CY7C1416BV18-300BZI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1427BV18-300BZI
CY7C1418BV18-300BZI
CY7C1420BV18-300BZI
300
CY7C1416BV18-300BZXI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1427BV18-300BZXI
CY7C1418BV18-300BZXI
CY7C1420BV18-300BZXI
278
CY7C1416BV18-278BZC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1427BV18-278BZC
CY7C1418BV18-278BZC
CY7C1420BV18-278BZC
278
CY7C1416BV18-278BZXC 51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free Commercial
CY7C1427BV18-278BZXC
CY7C1418BV18-278BZXC
CY7C1420BV18-278BZXC
278
CY7C1416BV18-278BZI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1427BV18-278BZI
CY7C1418BV18-278BZI
CY7C1420BV18-278BZI
278
CY7C1416BV18-278BZXI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1427BV18-278BZXI
CY7C1418BV18-278BZXI
CY7C1420BV18-278BZXI
250
CY7C1416BV18-250BZC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1427BV18-250BZC
CY7C1418BV18-250BZC
CY7C1420BV18-250BZC
250
CY7C1416BV18-250BZXC 51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free Commercial
CY7C1427BV18-250BZXC
CY7C1418BV18-250BZXC
CY7C1420BV18-250BZXC
Package
Package Type
Operating
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Commercial
Industrial
Industrial
Commercial
Industrial
Industrial
Commercial
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1418BV18 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1418BV18-167BZC 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1418BV18-167BZI 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1418BV18-167BZXC 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1418BV18-167BZXI 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1418AV18-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 DDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1418AV18-167BZCES 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC SGL 1.8V 36MBIT 2MX18 0.5NS 165FBGA - Bulk
CY7C1418AV18-167BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 DDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1418AV18-200BZCES 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC SGL 1.8V 36MBIT 2MX18 0.45NS 165FBGA - Bulk
CY7C1418AV18-200BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 DDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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