參數資料
型號: CY7C1416BV18-300BZI
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述: 4M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝: 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁數: 3/28頁
文件大小: 1132K
代理商: CY7C1416BV18-300BZI
PRELIMINARY
CY7C1416BV18
CY7C1427BV18
CY7C1418BV18
CY7C1420BV18
Document Number: 001-07033 Rev. *B
Page 3 of 28
2M x 18 Array
Write
Reg
Write
Reg
Logic Block Diagram (CY7C1418BV18)
CLK
Gen.
A
(20:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
R
Read Data Reg.
R/W
BWS
[1:0]
DQ
[17:0]
Output
Logic
Control
Reg.
Reg.
Reg.
18
18
36
18
V
REF
W
18
21
C
C
18
LD
Burst
Logic
A0
A
(20:1)
20
CQ
CQ
R/W
DOFF
Logic Block Diagram (CY7C1420BV18)
CLK
Gen.
A
(19:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
R
Read Data Reg.
R/W
BWS
[3:0]
DQ
[35:0]
Output
Logic
Control
Reg.
Reg.
Reg.
36
36
72
36
V
REF
W
36
20
C
C
36
LD
Burst
Logic
A0
A
(19:1)
19
1M x 36 Array
Write
Reg
Write
Reg
CQ
CQ
36
R/W
DOFF
[+] Feedback
相關PDF資料
PDF描述
CY7C1416BV18-300BZXC 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1416BV18-300BZXI 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1418BV18 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1418BV18-167BZC 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1418BV18-167BZI 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
相關代理商/技術參數
參數描述
CY7C1418AV18-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx18 DDR II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1418AV18-167BZCES 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC SGL 1.8V 36MBIT 2MX18 0.5NS 165FBGA - Bulk
CY7C1418AV18-167BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx18 DDR II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1418AV18-200BZCES 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC SGL 1.8V 36MBIT 2MX18 0.45NS 165FBGA - Bulk
CY7C1418AV18-200BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx18 DDR II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray