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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1412AV18-200BZXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 2M X 18 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 13/25頁 |
| 文件大?。?/td> | 1021K |
| 代理商： | CY7C1412AV18-200BZXC |
CY7C1410AV18
CY7C1425AV18
CY7C1412AV18
CY7C1414AV18
Document #: 38-05615 Rev. *D
Page 13 of 25
TAP Controller State Diagram
[9]
Note:
9. The 0/1 next to each state represents the value at TMS at the rising edge of TCK.
TEST-LOGIC
RESET
TEST-LOGIC/
IDLE
SELECT
DR-SCAN
CAPTURE-DR
SHIFT-DR
EXIT1-DR
PAUSE-DR
EXIT2-DR
UPDATE-DR
SELECT
IR-SCAN
CAPTURE-IR
SHIFT-IR
EXIT1-IR
PAUSE-IR
EXIT2-IR
UPDATE-IR
1
0
1
1
0
1
0
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1412AV18-200BZXI | 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1412AV18-250BZI | 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1412AV18-250BZXC | 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1412AV18-250BZXI | 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1414AV18-167BZI | 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1412AV18-200CKA | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1412AV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1412AV18-250BZCES | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:2MX18 QDR-II BURST 2 SRAM - Bulk |
| CY7C1412AV18-250BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1412AV18-250CKA | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
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