參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1411AV18-300BZXC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture
中文描述： 4M X 8 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 25/28頁(yè)
文件大小： 1143K
代理商： CY7C1411AV18-300BZXC
CY7C1411AV18
CY7C1426AV18
CY7C1413AV18
CY7C1415AV18
Document Number: 38-05614 Rev. *C
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167
CY7C1411AV18-167BZC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1426AV18-167BZC
CY7C1413AV18-167BZC
CY7C1415AV18-167BZC
CY7C1411AV18-167BZXC 51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1426AV18-167BZXC
CY7C1413AV18-167BZXC
CY7C1415AV18-167BZXC
CY7C1411AV18-167BZI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1426AV18-167BZI
CY7C1413AV18-167BZI
CY7C1415AV18-167BZI
CY7C1411AV18-167BZXI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1426AV18-167BZXI
CY7C1413AV18-167BZXI
CY7C1415AV18-167BZXI
200
CY7C1411AV18-200BZC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1426AV18-200BZC
CY7C1413AV18-200BZC
CY7C1415AV18-200BZC
CY7C1411AV18-200BZXC 51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1426AV18-200BZXC
CY7C1413AV18-200BZXC
CY7C1415AV18-200BZXC
CY7C1411AV18-200BZI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1426AV18-200BZI
CY7C1413AV18-200BZI
CY7C1415AV18-200BZI
CY7C1411AV18-200BZXI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1426AV18-200BZXI
CY7C1413AV18-200BZXI
CY7C1415AV18-200BZXI
250
CY7C1411AV18-250BZC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1426AV18-250BZC
CY7C1413AV18-250BZC
CY7C1415AV18-250BZC
CY7C1411AV18-250BZXC 51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1426AV18-250BZXC
CY7C1413AV18-250BZXC
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CY7C1411AV18-300BZXI 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture
CY7C1413AV18-167BZC 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture
CY7C1413AV18-167BZI 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture
CY7C1413AV18-167BZXC 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture
CY7C1413AV18-167BZXI 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture
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參數(shù)描述
CY7C1411BV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mx36 QDR II Burst 4 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1411KV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 36Mb QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1411KV18-300BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 36MB (4Mx8) 1.8v 300MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1411SC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1411SV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 NV靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 250 MHz 1.8V RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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