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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1411AV18-278BZXI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 4M X 8 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 21/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 1143K |
| 代理商： | CY7C1411AV18-278BZXI |
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CY7C1411AV18
CY7C1426AV18
CY7C1413AV18
CY7C1415AV18
Document Number: 38-05614 Rev. *C
Page 21 of 28
Capacitance
[23]
Parameter
C
IN
C
CLK
C
O
Description
Test Conditions
Max.
5
4
5
Unit
pF
pF
pF
Input Capacitance
Clock Input Capacitance
Output Capacitance
T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz,
V
DD
= 1.8V
V
DDQ
= 1.5V
Thermal Resistance
[23]
Parameter
Θ
JA
Description
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Thermal Resistance
(Junction to Case)
Test Conditions
165 FBGA
Package
17.2
Unit
°C/W
Test conditions follow standard test methods and procedures for
measuring thermal impedance, per EIA/JESD51.
Θ
JC
3.2
°C/W
AC Test Loads and Waveforms
Notes:
23.Tested initially and after any design or process change that may affect these parameters.
24.Unless otherwise noted, test conditions assume signal transition time of 2V/ns, timing reference levels of 0.75V, Vref = 0.75V, RQ = 250
, V
DDQ
= 1.5V, input
pulse levels of 0.25V to 1.25V, and output loading of the specified I
OL
/I
OH
and load capacitance shown in (a) of AC Test Loads.
1.25V
0.25V
R = 50
5 pF
ALL INPUT PULSES
Device
Under
Test
R
L
= 50
Z
0
= 50
V
REF
= 0.75V
V
REF
= 0.75V
[24]
0.75V
0.75V
Device
Under
Test
OUTPUT
0.75V
V
REF
V
REF
OUTPUT
ZQ
ZQ
(a)
Slew Rate = 2 V/ns
RQ =
250
(b)
RQ =
250
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1411AV18-300BZC | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1411AV18-300BZI | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1411AV18-300BZXC | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1411AV18-300BZXI | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1413AV18-167BZC | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1411BV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx36 QDR II Burst 4 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1411KV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36Mb QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1411KV18-300BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36MB (4Mx8) 1.8v 300MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1411SC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1411SV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 NV靜態(tài)隨機存取存儲器 250 MHz 1.8V RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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