參數(shù)資料
型號: CY7C1387F-200BGC
廠商: Cypress Semiconductor Corp.
英文描述: 18-Mbit (512K x 36/1 Mbit x 18) Pipelined DCD Sync SRAM
中文描述: 18兆位(為512k × 36 / 1兆位× 18)流水線雙氰胺同步靜態(tài)存儲器
文件頁數(shù): 24/30頁
文件大小: 974K
代理商: CY7C1387F-200BGC
CY7C1386D, CY7C1386F
CY7C1387D, CY7C1387F
Document Number: 38-05545 Rev. *E
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ZZ Mode Timing
[30, 31]
Switching Waveforms
(continued)
tZZ
I
SUPPLY
CLK
ZZ
tZZREC
ALL INPUTS
(except ZZ)
DON’T CARE
IDDZZ
tZZI
tRZZI
Outputs (Q)
High-Z
DESELECT or READ Only
Notes
30.Device must be deselected when entering ZZ sleep mode. See cycle descriptions table for all possible signal conditions to deselect the device.
31.DQs are in high-Z when exiting ZZ sleep mode.
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1387F-200BGI 18-Mbit (512K x 36/1 Mbit x 18) Pipelined DCD Sync SRAM
CY7C1387F-200BGXC 18-Mbit (512K x 36/1 Mbit x 18) Pipelined DCD Sync SRAM
CY7C1387F-200BGXI 18-Mbit (512K x 36/1 Mbit x 18) Pipelined DCD Sync SRAM
CY7C1387F-250BGC 18-Mbit (512K x 36/1 Mbit x 18) Pipelined DCD Sync SRAM
CY7C1387F-250BGI 18-Mbit (512K x 36/1 Mbit x 18) Pipelined DCD Sync SRAM
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參數(shù)描述
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CY7C1392CV18-200BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx8 1.8V DDR II SIO 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1392CV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx8 1.8V DDR II SIO 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray