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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1387D-250BZI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit (512K x 36/1 Mbit x 18) Pipelined DCD Sync SRAM |
| 中文描述： | 1M X 18 CACHE SRAM, 2.6 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 22/30頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 974K |
| 代理商： | CY7C1387D-250BZI |
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CY7C1386D, CY7C1386F
CY7C1387D, CY7C1387F
Document Number: 38-05545 Rev. *E
Page 22 of 30
Write Cycle Timing
[26, 27]
Switching Waveforms
(continued)
tCYC
tCL
CLK
ADSP
tADH
tADS
ADDRESS
tCH
OE
ADSC
CE
tAH
tAS
A1
tCEH
tCES
BWE,
BW
X
ADV
BURST READ
BURST WRITE
D(A2)
D(A2 + 1)
D(A3)
D(A3 + 1)
D(A2 + 3)
A2
A3
Extended BURST WRITE
Single WRITE
tADH
tADS
tADH
tADS
t
OEHZ
tADVH
tADVS
tWEH
tWES
t
DH
t
DS
GW
tWEH
tWES
Byte write signals are ignored for first cycle when
ADSP initiates burst
ADSC extends burst
ADV suspends burst
DON’T CARE
UNDEFINED
D(A1)
High-Z
Data in (D)
Data Out (Q)
Note
27.Full width write can be initiated by either GW LOW, or by GW HIGH, BWE LOW, and BW
X
LOW.
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| CY7C1392CV18-200BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx8 1.8V DDR II SIO 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1392CV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx8 1.8V DDR II SIO 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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