參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1386C-167BGC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 18-Mb (512K x 36/1M x 18) Pipelined DCD Sync SRAM
中文描述： 512K X 36 CACHE SRAM, 3.4 ns, PBGA119
封裝： 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119
文件頁數(shù)： 17/34頁
文件大?。?/td> 554K
代理商： CY7C1386C-167BGC
CY7C1386C
CY7C1387C
Document #: 38-05239 Rev. *B
Page 17 of 34
3.3V TAP AC Test Conditions
Input pulse levels........ ........................................V
SS
to 3.3V
Input rise and fall times...................... ..............................1ns
Input timing reference levels...........................................1.5V
Output reference levels...................................................1.5V
Test load termination supply voltage...............................1.5V
3.3V TAP AC Output Load Equivalent
2.5V TAP AC Test Conditions
Input pulse levels...............................................
V
SS
to 2.5V
Input rise and fall time ......................................................1ns
Input timing reference levels.........................................1.25V
Output reference levels ................................................1.25V
Test load termination supply voltage ............................1.25V
2.5V TAP AC Output Load Equivalent
Note:
12.All voltages referenced to V
SS
(GND).
TDO
1.5V
20pF
Z = 50
50
TDO
1.25V
20pF
Z = 50
50
TAP DC Electrical Characteristics And Operating Conditions
(0°C < TA < +70°C; Vdd = 3.3V ±0.165V unless otherwise noted)
[12]
Parameter
V
OH1
Description
Output HIGH Voltage I
OH
= -4.0 mA, V
DDQ
= 3.3V
I
OH
= -1.0 mA, V
DDQ
= 2.5V
Output HIGH Voltage I
OH
= -100 μA
Test Conditions
Min
2.4
2.0
2.9
2.1
Max
Units
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
OH2
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
OL1
Output LOW Voltage
I
OL
= 8.0 mA, V
DDQ
= 3.3V
I
OL
= 8.0 mA, V
DDQ
= 2.5V
I
OL
= 100 μA
0.4
0.4
0.2
0.2
V
OL2
Output LOW Voltage
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
IH
Input HIGH Voltage
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
GND < V
IN
< V
DDQ
2.0
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.7
0.7
5
1.7
V
V
IL
Input LOW Voltage
-0.5
-0.3
-5
V
V
μA
I
X
Input Load Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1386C-167BZC 18-Mb (512K x 36/1M x 18) Pipelined DCD Sync SRAM
CY7C1386C-167BZI 18-Mb (512K x 36/1M x 18) Pipelined DCD Sync SRAM
CY7C1386C-200AC 18-Mb (512K x 36/1M x 18) Pipelined DCD Sync SRAM
CY7C1386C-200AI 18-Mb (512K x 36/1M x 18) Pipelined DCD Sync SRAM
CY7C1386C-200BGC 18-Mb (512K x 36/1M x 18) Pipelined DCD Sync SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1386D-167AXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 3.3V COM 2CD Sync PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1386D-167AXCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 3.3V COM 2CD Sync PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1386D-200AXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 3.3V COM 2CD Sync PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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CY7C1386D-200BGCT 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC QUAD 3.3V 18MBIT 512KX36 3NS 119BGA - Tape and Reel
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