參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1381D-100BGXI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
中文描述： 512K X 36 CACHE SRAM, 8.5 ns, PBGA119
封裝： 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119
文件頁(yè)數(shù)： 15/29頁(yè)
文件大?。?/td> 477K
代理商： CY7C1381D-100BGXI
PRELIMINARY
CY7C1381D
CY7C1383D
Document #: 38-05544 Rev. *A
Page 15 of 29
Identification Codes
Instruction
EXTEST
Code
000
Description
Captures I/O ring contents. Places the boundary scan register between TDI and TDO.
Forces all SRAM outputs to High-Z state.
Loads the ID register with the vendor ID code and places the register between TDI and
TDO. This operation does not affect SRAM operations.
Captures I/O ring contents. Places the boundary scan register between TDI and TDO.
Forces all SRAM output drivers to a High-Z state.
Do Not Use: This instruction is reserved for future use.
Captures I/O ring contents. Places the boundary scan register between TDI and TDO.
Does not affect SRAM operation.
Do Not Use: This instruction is reserved for future use.
Do Not Use: This instruction is reserved for future use.
Places the bypass register between TDI and TDO. This operation does not affect SRAM
operations.
IDCODE
001
SAMPLE Z
010
RESERVED
SAMPLE/PRELOAD
011
100
RESERVED
RESERVED
BYPASS
101
110
111
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1381D-100BZC 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1381D-100BZI 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1381D-100BZXC 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1381D-100BZXI 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1381D-133AXC 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1381D-100BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 3.3V COM Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1381D-100BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 3.3V IND Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1381D-100BZIT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 3.3V IND Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1381D-100BZXI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 3.3V IND Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1381D-117AXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 3.3V COM Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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