- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄380200 > CY7C1381D-100AXI (CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP) 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1381D-100AXI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM |
| 中文描述： | 512K X 36 CACHE SRAM, 8.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, MS-026, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 24/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 477K |
| 代理商： | CY7C1381D-100AXI |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁當前第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁
PRELIMINARY
CY7C1381D
CY7C1383D
Document #: 38-05544 Rev. *A
Page 24 of 29
Read/Write Cycle Timing
[25, 27, 28]
Notes:
25.On this diagram, when CE is LOW: CE
is LOW, CE
is HIGH and CE
is LOW. When CE is HIGH: CE
1
is HIGH or CE
2
is LOW or CE
3
is HIGH.
26.Full width write can be initiated by either GW LOW; or by GW HIGH, BWE LOW and BW
LOW.
27.The data bus (Q) remains in high-Z following a WRITE cycle, unless a new read access is initiated by ADSP or ADSC.
28.GW is HIGH.
Timing Diagrams
(continued)
tCYC
tCL
CLK
tADH
tADS
ADDRESS
t
CH
tAH
tAS
A2
tCEH
tCES
Single WRITE
D(A3)
A3
A4
BURST READ
Back-to-Back READs
High-Z
Q(A2)
Q(A4)
Q(A4+1)
Q(A4+2)
Q(A4+3)
tWEH
tWES
tOEHZ
tDH
tDS
tCDV
tOELZ
A1
A5
A6
D(A5)
D(A6)
Q(A1)
Back-to-Back
WRITEs
DON’T CARE
UNDEFINED
ADSP
ADSC
BWE, BW
X
CE
ADV
OE
Data In (D)
Data Out (Q)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1381D-100BGC | 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM |
| CY7C1381D-100BGI | 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM |
| CY7C1381D-100BGXC | 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM |
| CY7C1381D-100BGXI | 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM |
| CY7C1381D-100BZC | 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1381D-100BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx36 3.3V COM Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1381D-100BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx36 3.3V IND Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1381D-100BZIT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx36 3.3V IND Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1381D-100BZXI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx36 3.3V IND Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1381D-117AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx36 3.3V COM Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。