參數(shù)資料
型號: CY7C1372D-167BGI
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
中文描述: 1M X 18 ZBT SRAM, 3.4 ns, PBGA119
封裝: (14 X 22 X 2.4) MM, PLASTIC, BGA-119
文件頁數(shù): 5/30頁
文件大小: 344K
代理商: CY7C1372D-167BGI
PRELIMINARY
CY7C1370D
CY7C1372D
Document #: 38-05555 Rev. *A
Page 5 of 30
Pin Configurations
(continued)
2
A
A
3
4
5
6
7
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
TDO
E(288)
NC
DQP
c
DQ
c
DQ
c
DQP
d
NC
NC
DQ
d
DQ
d
DQ
d
DQ
d
CE
1
CE2
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
BW
b
BW
a
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
CE
3
CLK
V
SS
V
SS
V
SS
BW
c
BW
d
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
A
CEN
WE
V
SS
V
SS
DQ
c
DQ
c
MODE
NC
DQ
c
DQ
c
DQ
c
DQ
c
NC
DQ
d
DQ
d
DQ
d
NC
DQ
d
E(36)
E(72)
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
A1
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
TDI
V
SS
V
SS
NC
TCK
A0
A
TMS
8
9
A
A
10
A
A
NC
DQ
b
DQ
b
11
NC
NC
ADV/LD
OE
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
A
E(144)
DQP
b
DQ
b
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
DQ
b
DQ
b
DQ
b
ZZ
NC
A
DQ
b
DQ
b
NC
DQ
a
DQ
a
DQ
a
DQ
a
DQ
a
DQ
a
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
DQ
a
DQ
a
DQP
a
A
A
A
A
2
A
A
3
4
5
6
7
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
TDO
E(288)
NC
NC
NC
NC
DQP
b
NC
NC
DQ
b
DQ
b
DQ
b
DQ
b
CE
1
CE2
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
NC
BW
a
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
CE
3
CLK
V
SS
V
SS
V
SS
BW
b
NC
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
A
CEN
WE
V
SS
V
SS
NC
NC
MODE
NC
DQ
b
DQ
b
DQ
b
DQ
b
NC
NC
NC
NC
NC
NC
E(36)
E(72)
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
A1
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
TDI
V
SS
V
SS
NC
TCK
A0
A
TMS
8
9
A
A
10
A
A
NC
NC
NC
11
A
NC
ADV/LD
OE
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
A
E(144)
DQP
a
DQ
a
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
DQ
a
DQ
a
DQ
a
ZZ
NC
A
NC
NC
NC
DQ
a
DQ
a
DQ
a
DQ
a
NC
NC
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
NC
NC
NC
A
A
A
A
CY7C1372D (1M × 18) – fBGA
CY7C1370D (512K × 36) – fBGA
165-Ball fBGA Pinout
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1372D-167BZC 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
CY7C1372D-167BZI 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
CY7C1372D-200AXC 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
CY7C1372D-200AXI 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
CY7C1372D-200BGC 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1372D-167BZC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1372D-200AXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 3.3V NoBL Sync PL 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1372D-200AXCKJ 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1372D-200AXCT 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:NoBL™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY7C1372DV25-167AXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 3.3V NoBL Sync PL 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray