參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1372D-167BGC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
中文描述： 1M X 18 ZBT SRAM, 3.4 ns, PBGA119
封裝： 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119
文件頁(yè)數(shù)： 14/30頁(yè)
文件大?。?/td> 344K
代理商： CY7C1372D-167BGC
PRELIMINARY
CY7C1370D
CY7C1372D
Document #: 38-05555 Rev. *A
Page 14 of 30
3.3V TAP AC Test Conditions
Input pulse levels............................................... .V
SS
to 3.3V
Input rise and fall times................................................... 1 ns
Input timing reference levels...........................................1.5V
Output reference levels...................................................1.5V
Test load termination supply voltage...............................1.5V
3.3V TAP AC Output Load Equivalent
2.5V TAP AC Test Conditions
Input pulse levels.................................................V
SS
to 2.5V
Input rise and fall time .....................................................1 ns
Input timing reference levels.........................................1.25V
Output reference levels ................................................1.25V
Test load termination supply voltage ............................1.25V
2.5V TAP AC Output Load Equivalent
Note:
11.All voltages referenced to V
SS
(GND).
TDO
1.5V
20pF
Z = 50
50
TDO
1.25V
20pF
Z = 50
50
TAP DC Electrical Characteristics And Operating Conditions
(0°C < TA < +70°C; V
DD
= 3.3V ±0.165V unless otherwise noted)
[11]
Parameter
Description
V
OH1
Output HIGH Voltage
Test Conditions
Min.
2.4
2.0
2.9
2.1
Max.
Unit
V
V
V
V
V
V
V
V
V
I
OH
= –4.0 mA, V
DDQ
= 3.3V
I
OH
= –1.0 mA, V
DDQ
= 2.5V
I
OH
= –100 μA
V
OH2
Output HIGH Voltage
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
OL1
Output LOW Voltage
I
OL
= 8.0 mA, V
DDQ
= 3.3V
I
OL
= 8.0 mA, V
DDQ
= 2.5V
I
OL
= 100 μA
0.4
0.4
0.2
0.2
V
OL2
Output LOW Voltage
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
IH
Input HIGH Voltage
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
GND < V
IN
< V
DDQ
2.0
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.7
0.7
5
1.7
V
V
IL
Input LOW Voltage
–0.5
–0.3
–5
V
V
μA
I
X
Input Load Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1372D-167BGI 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
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CY7C1372D-167BZI 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
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參數(shù)描述
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