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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1372C-250AI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
| 中文描述： | 1M X 18 ZBT SRAM, 2.6 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 13/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 704K |
| 代理商： | CY7C1372C-250AI |
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CY7C1370C
CY7C1372C
Document #: 38-05233 Rev. *D
Page 13 of 27
TAP Controller Block Diagram
0
0
1
2
.
.
29
30
31
Boundary Scan Register
Identification Register
0
1
2
.
.
.
.
68
0
1
2
Instruction Register
Bypass Register
Selection
Circuitry
Selection
Circuitry
TAP Controller
TDI
TDO
TCK
TMS
TAP Electrical Characteristics
Over the Operating Range
[10, 11]
Parameter
V
OH1
Description
Test Conditions
Min.
2.4
1.7
2.9
2.1
Max.
Unit
V
Output HIGH Voltage
I
OH
= –4.0 mA
I
OH
= –1.0 mA
I
OH
= –100
μ
A
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
OH2
Output HIGH Voltage
V
V
OL1
Output LOW Voltage
I
OL
= 8.0 mA
I
OL
= 1.0 mA
I
OL
= 100
μ
A
0.4
0.4
0.2
0.2
V
V
V
V
V
V
V
V
μ
A
μ
A
V
OL2
Output LOW Voltage
V
IH
Input HIGH Voltage
2.0
1.7
–0.5
–0.3
–5
–5
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.7
0.7
5
5
V
IL
Input LOW Voltage
I
X
I
X
Input Load Current
Input Load Current TMS and TDI
GND
≤
V
I
≤
V
DDQ
GND
≤
V
I
≤
V
DDQ
TAP AC Switching Characteristics
Over the Operating Range
[12, 13]
Parameter
t
TCYC
t
TF
t
TH
t
TL
Notes:
10.All voltage referenced to ground.
11. Overshoot: V
(AC) < V
+ 1.5V for t < t
/2; undershoot: V
(AC) >
0.5V for t < t
/2.
12.t
and t
refer to the set-up and hold time requirements of latching data from the boundary scan register.
13.Test conditions are specified using the load in TAP AC test conditions. t
R
/t
F
= 1 ns.
Description
Min.
100
Max.
Unit
ns
MHz
ns
ns
TCK Clock Cycle Time
TCK Clock Frequency
TCK Clock HIGH
TCK Clock LOW
10
40
40
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