參數(shù)資料
型號： CY7C1362B-225BZC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM
中文描述： 512K X 18 CACHE SRAM, 2.8 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-165
文件頁數(shù)： 4/34頁
文件大?。?/td> 895K
代理商： CY7C1362B-225BZC
CY7C1360B
CY7C1362B
Document #: 38-05291 Rev. *C
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Pin Configurations
(continued)
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CY7C1362B (512K x 18)
CY7C1360B (256K x 36)
119-ball BGA (2 Chip Enables with JTAG)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1362B-225BGI BACKSHELL, MDR 68 WAY METALBACKSHELL, MDR 68 WAY METAL; Material:Aluminum; Ways, No. of:68; Colour:Steel
CY7C1362B-225BZI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM
CY7C1362B-200BZI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM
CY7C1362B-200BZC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM
CY7C1362B-200BGI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1362C-166AJXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx18 3.3V COM Sync PL 1CD 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1362C-166AJXCT 功能描述:IC SRAM 9MBIT 166MHZ 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY7C1362C-166AXC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-Bit 512K x 18 3.5ns 100-Pin TQFP
CY7C1362C-166BZC 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1362C-200AJXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx18 3.3V COM Sync PL 1CD 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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