參數(shù)資料
型號： CY7C1360B-225BZI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM
中文描述： 256K X 36 CACHE SRAM, 2.8 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-165
文件頁數(shù)： 26/34頁
文件大?。?/td> 895K
代理商： CY7C1360B-225BZI
CY7C1360B
CY7C1362B
Document #: 38-05291 Rev. *C
Page 26 of 34
Switching Waveforms
Read Cycle Timing
[22]
Note:
22.On this diagram, when CE is LOW: CE
1
is LOW, CE
2
is HIGH and CE
3
is LOW. When CE is HIGH: CE
1
is HIGH or CE
2
is LOW or CE
3
is HIGH.
tCYC
tCL
CLK
ADSP
tADH
tADS
ADDRESS
tCH
OE
ADSC
CE
tAH
tAS
A1
tCEH
tCES
GW, BWE,
BWx
Data Out (Q)
High-Z
tCLZ
tDOH
tCO
ADV
tOEHZ
tCO
Single READ
BURST READ
tOEV
tOELZ
tCHZ
ADV
suspends
burst.
Burst wraps around
to its initial state
tADVH
tADVS
tWEH
tWES
tADH
tADS
Q(A2)
Q(A2 + 1)
Q(A2 + 2)
Q(A1)
Q(A2)
Q(A2 + 1)
Q(A2 + 3)
A2
A3
Deselect
cycle
Burst continued with
new base address
DON’T CARE
UNDEFINED
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PDF描述
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參數(shù)描述
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CY7C1360C-166AXC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 3.5NS TQFP100
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